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目录
第一章 绪 论
1.1选题背景和研究意义
1.2国内外研究现状
1.3本文的主要内容和结构
第二章 IGBT器件结构和核辐射基本理论
2.1 IGBT器件基本类型与原理简介
2.2辐射环境和损伤机制
2.3电离辐射对器件作用
2.4辐射参数的量化与其在TCAD软件中的模拟方式
2.5本章小结
第三章 IGBT辐射效应研究
3.1 IGBT的单粒子效应研究
3.2 IGBT 结终端总剂量效应研究
3.3本章小结
第四章 高压IGBT器件设计
4.1 IGBT元胞设计
4.2高耐压终端设计
4.3工艺与版图
4.4初步测试结果
4.5本章小结
第五章 结论与展望
5.1本文工作总结
5.2工作展望
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果