PECVD-SiNx钝化减反射特性研究

摘要

作为一种器件表面介质膜，SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝化和减反射一直是其研究的主题。电池正面发射结不仅要求表面钝化层有优良的钝化性能，同时也要求介质层能够与表面层减反射膜一起产生很好的减反射效果，从而进一步提高太阳电池器件的光生电流、开路电压以及电池效率. 本文阐述了高效太阳电池研究中正面发射结上的钝化与减反射工艺与原理，重点对PECVD法制备SiNx的钝化机制，表面场钝化和H钝化进行了详细的分析。人们研究SiNx的钝化性能一般是在N+/P/P+结构上对SiNx减反射和钝化性能。为了比较清楚的了解SiNx钝化工艺在太阳电池钝化中所起的作用，针对影响SiNx薄膜性能的主要参数(NH3/SiH4,衬底温度，电源输入功率)。在P型双面扩磷的N+/p/N+对称结构上，对SiNx薄膜的钝化和减反射性能进行了理论模拟和实验研究。 通过研究沉积参数NH3/SiH4流量比对SiNx薄膜光学和电学钝化性能的影响，提出了中试线上SiNx优化的沉积参数。最后，对电池正面栅线电极做了一些理论方面的分析工作，希望对以后正面栅线电极与发射结之间的欧姆接触有所建议。