摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 研究背景
1.1.1 集成电路的静态时序分析
1.1.2 门单元时延模型的发展
1.1.3 基于边界的STA及统计静态时序分析
1.2 本文的研究内容和主要贡献
1.3 论文结构
第二章 门单元时延模型
2.1 VRM模型
2.2 电流源模型
2.2.1 Blade模型
2.2.2 KTV模型
2.2.3 考虑非线性电容参数的模型
2.2.4 多端口电流源模型
2.2.5 多输入跳变电流源模型
2.3 本章小结
第三章 改进的门单元多输入跳变电流源模型
3.1 二输入门单元输入端与内部节点间的密勒电容
3.2 多输入门单元的AMCSM模型
3.3 AMCSM模型参数的提取
3.4 输出波形的求解
3.5 实验结果
3.5.1 AMCSM模型精度
3.5.2 AMCSM模型速度
3.6 本章小结
第四章 工艺偏差下的电路仿真
4.1 集成电路的工艺偏差
4.2 传统的电路时域仿真方法
4.3 工艺偏差下的电路仿真
4.3.1 基本电路方法
4.3.2 统计方法
4.3.3 预条件法
4.3.4 基于数据重用的增量仿真方法
4.4 本章小结
第五章 考虑信号完整性问题的快速门级SSTA方法
5.1 传统的SSTA门时延模型及存在问题
5.2 考虑工艺偏差的门单元电流源模型
5.3 基于电流源模型和采样的SSTA
5.4 数据重用提升SSTA的效率
5.5 实验结果
5.6 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢
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