摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 一维硅纳米材料的制备
1.2.1 硅纳米线
1.2.2 硅纳米管
1.2.3 硅纳米带
1.3 一维硅纳米材料的特性
1.3.1 电学特性
1.3.2 光学特性
1.3.3 热传导特性
1.4 一维硅纳米材料的应用
1.4.1 晶体管
1.4.2 传感器
1.4.3 太阳能电池
1.4.4 锂离子电池
1.5 课题研究的意义及主要创新点
第二章 用热蒸发法制备一维硅纳米材料
2.1 引言
2.2 热蒸发SiO制备硅纳米线的生长模型
2.3 金属镧的物理和化学性质
2.4 实验设备及原料
2.4.1 高温管式炉
2.4.2 机械真空泵
2.4.3 场发射扫描电子显微镜
2.4.4 场发射扫描/聚焦离子束双束显微镜
2.4.5 透射电子显微镜
2.4.6 X光衍射仪
2.4.7 超声波清洗仪
2.4.8 实验药品
2.5 实验步骤及参数
2.6 实验结果
2.7 生长机理讨论
2.7.1 热生长过程中的三相体系
2.7.2 三相体系中的生长速度
2.7.3 三相体系中一维硅纳米材料生长模型
2.8 小结
第三章 金属辅助法制备硅纳米线阵列
3.1 引言
3.2 金属辅助化学刻蚀法生长模型
3.3 实验设备及原料
3.3.1 场发射扫描电子显微镜
3.3.2 超声波清洗仪
3.3.3 实验药品
3.4 实验步骤及参数
3.5 实验结果
3.6 对硅纳米线阵列生长的讨论
3.7 小结
第四章 一维硅纳米材料的光致发光特性研究
4.1 引言
4.2 实验设备及原料
4.2.1 荧光分光光度计
4.2.2 高温管式炉
4.2.3 机械真空泵
4.2.4 超声波清洗仪
4.2.5 实验药品
4.3 实验步骤及参数
4.4 实验结果与分析
4.4.1 硅纳米线阵列的光致发光特性
4.4.2 硅纳米管的光致发光特性
4.5 小结
第五章 结论
参考文献
致谢
