声明
缩略符号注释
1 绪论
1.1 纳米材料
1.1.1 纳米材料
1.1.2 纳米效应
1.1.3 荧光纳米物质
1.2 纳米材料的制备
1.2.1 贵金属纳米材料
1.2.2 量子点
1.2.3 量子点的发光特性
1.3 分子印迹技术
1.3.1 分子印迹技术简述
1.3.2 离子印迹技术的优点
1.4 微流控芯片
1.4.1 微流控芯片的材料
1.4.2 微流控纸芯片的制作
1.4.3 纸芯片的检测方法
1.4.4 纸芯片的应用
1.5 本论文的选题意义及研究内容
2 基于量子点的镉离子、铅离子印迹的微流控纸芯片的
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 实验仪器与试剂
2.2.2 合成碲化镉荧光量子点
2.2.3 合成具有荧光的微流控纸芯片
2.2.4 合成镉（铅）离子印迹聚合物
2.2.5 印迹聚合物中模板离子的洗脱
2.3 结果与讨论
2.3.1 纸芯片荧光猝灭机理
2.3.2paper@QDs @ Cd(Pb)-IIP的形态结构表征
2.3.3 APTES和TEOS用量对该印迹聚合物性能的影响
2.3.4 最佳pH和最佳吸附时间的考察
2.3.5paper @QDs @ Cd(Pb)-IIP使用性能的探究
2.3.6 接枝在纸芯片上的镉离子印迹聚合物的吸附性能考察
2.3.7 接枝在纸芯片上的铅离子印迹聚合物的吸附性能考察
2.3.8 实际水样中Cd2+、Pb2+含量的检测
2.4 本章小结
3 基于离子印迹技术的混合比率荧光传感器用于铅离
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 实验仪器与试剂
3.2.2 水溶性碲化镉量子点的合成
3.2.3CdTe@ SiO2的合成
3.2.4 铅离子印迹聚合物（未包裹SiO2）的合成
3.2.5 铅离子印迹聚合物的合成
3.3 结果与讨论
3.3.1 反应机理
3.3.2 两种荧光物质的粒径图
3.3.3 两种荧光物质用量比的考察
3.3.4 对硝酸铅加入量的考察
3.3.5 对绿色量子点稀释倍数的考察
3.3.6对红色的CdTe@ SiO2稀释倍数的考察
3.3.7未包裹的QDs @ Pb-IIP复合物检测铅离子的荧光图
3.3.8QDs @Pb-IIP复合物检测铅离子的荧光图
3.4 本章小结
4 基于离子印迹技术的混合比率荧光传感器用于汞离
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 实验仪器与试剂
4.2.2 水溶性碲化镉量子点的合成
4.2.3CdTe@ SiO2溶液的合成
4.2.4 汞离子印迹聚合物（未包裹SiO2）的合成
4.2.5 汞离子印迹聚合物的合成
4.3 结果与讨论
4.3.1 两种荧光物质用量比的考察
4.3.2 对氯化汞加入量的考察
4.3.3 对绿色量子点稀释倍数的考察
4.3.4对红色的CdTe@ SiO2稀释倍数的考察
4.3.5包裹SiO2的QDs @ Hg-IIP复合物检测高浓度汞离子的荧光图
4.3.6未包裹的QDs @ Hg-IIP复合物检测低浓度汞离子的荧光图
4.3.7包裹SiO2的QDs @ Hg-IIP复合物检测低浓度汞离子的荧光图
4.4 本章小结
5 双发射比率荧光分子印迹传感器的构建及用于2,4-二
5.1 引言
5.2 实验部分
5.2.1 实验仪器与试剂
5.2.2 水溶性碲化镉量子点的合成
5.2.3CdTe@ SiO2的合成
5.2.4 APTES-NBD的合成
5.2.5合成QDs@ SiO2@ NBD@ MIPs比率荧光传感器
5.3 结果与讨论
5.3.1 反应机理
5.3.2 两种荧光物质的粒径图
5.3.3QDs@ SiO2复合物的荧光光谱图
5.3.4 对NBD-APTES稀释倍数的考察
5.3.5对NBD-APTES和QDs@ SiO2用量比的考察
5.4 本章小结
6 全文总结与展望
参考文献
致谢
作者简介
攻读学位期间发表的论文
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