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【6h】

导电剂/活性炭复合电极制备及不对称电容器脱盐研究

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摘要

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 脱盐技术研究现状

1.3 电容去离子技术(CDI)的概述

1.4 电极材料

1.5 电容器的设计和操作模式

1.6 脱盐的重要参数

1.7 本课题研究工作

第二章 磺化石墨烯/活性炭复合电极的制备及性能

2.1 前言

2.2 实验部分

2.3 结果与讨论

2.4 本章小结

第三章 胺化石墨烯/活性炭复合电极的制备及性能

3.1 前言

3.2 实验部分

3.3 结果与讨论

3.4 本章小结

第四章 纳米氧化锌/活性炭复合电极的制备及性能

4.1 引言

4.2 实验部分

4.3 结果与讨论

4.4 本章小结

第五章 结论与展望

5.1 结论

5.2 本工作的创新性

5.3 展望

参考文献

攻读硕士学位期间关于课题取得的研究成果

致谢

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摘要

电容去离子技术,因其能耗低、水回收率高、电极再生简单和无二次污染等特点,是一项具有发展前景的海水、苦咸水淡化技术。但脱盐的电流效率和脱盐吸附量低仍是制约其发展的主要因素。本论文选择化学修饰石墨烯或ZnO为导电剂与活性炭共混,制备不同的导电添加剂/活性炭复合电极并研究了复合电极性能。进一步组装不对称电容器,以改善电极内部微环境,根据掺杂材料表面Zeta电势不同,解决脱盐过程中反离子效应造成的电流效率低、脱盐量低等问题,且掺杂材料导电性优异,可降低电极内阻。本论文主要研究结果如下:
  1、在还原剂NaBH4存在条件下,采用对氨基苯磺酸重氮盐与氧化石墨(GO)反应,制备磺化石墨烯。傅里叶变换红外光谱(FTIR)证明磺酸基团在石墨烯表面的成功接枝。扫描电子显微镜(SEM)研究了磺化石墨烯表面形貌。以GP-SO3H为添加剂,制备磺化石墨烯/活性炭(GP-SO3H/AC)复合电极。循环伏安(CV)及阻抗分析(EIS)证明了该复合电极的电容特性及导电性有明显改善。并以AC电极为对电极,组装不对称电容器(GP-SO3H/AC|AC),研究了该不对称电容器的电化学脱盐性能。不对称电容器中由于电极内磺酸基团的存在,电流效率大大提高,电容器的电流效率可达88.2%,单个循环脱盐量达10.87mg/g,相比AC|AC对称电容器,脱盐量提高2.4倍。
  2、以3-氨丙基三乙氧基硅烷(AMPTS)修饰GO,并经还原合成胺化石墨烯。FTIR和能量色散型X射线光谱分析(EDX)证明了氨基基团的成功接枝。以GP-NH2为添加剂,制备胺化石墨烯/活性炭(GP-NH2/AC)复合电极。CV和EIS证明该复合电极具有良好的电容特性和导电性。并以GP-NH2/AC为正极,AC电极为对电极,组装不对称电容器(GP-NH2/AC|AC),研究了不对称电容器的脱盐性能。试验表明GP-NH2/AC|AC单个循环脱盐量为7.63mg/g,相比AC|AC对称电容器(4.5mg/g)提高了1.7倍,电流效率可达77.63%。
  以GP-NH2/AC为正极,GP-SO3H/AC为负极,组装正负两极均含有带电荷石墨烯的不对称电容器(GP-NH2/AC|GP-SO3H/AC),结果发现,GP-NH2/AC|GP-SO3H/AC不对称电容器的平均单循环脱盐量可达10.58mg/g,相比脱盐性能较好的GP-SO3H|AC电容器,容量相当,但单循环的充放电时间缩短了1/3,电极吸脱附可逆性更好,脱盐速率更快,电流效率增加到92.79%;证明正负极的修饰,可同时改善正负极的选择性,减小反离子效应,进一步提高电容器的电流效率。经过一周的循环脱盐测试,GP-NH2/AC|GP-SO3H/AC脱盐量只下降了15%。
  3、以氧化锌纳米粒子为添加剂,制备氧化锌/活性炭复合电极。SEM证明ZnO在AC中均匀分散。且对比两种粒径(ZnO-50,ZnO-200)的ZnO/AC电极的脱盐性能,证明当掺杂ZnO粒径为150~200nm时,所得ZnO/AC电极表面更平整,ZnO/AC|AC电容器脱盐速率更快。并以AC电极为对极,组装ZnO/AC|AC电容器,分别研究了ZnO/AC为正极(+ZnO/AC|AC)和负极(-ZnO/AC|AC)时两种不同电容器的脱盐性能。对比发现-ZnO/AC|AC电容器的脱盐量及稳定性明显优于+ZnO/AC|AC。-ZnO/AC|AC不对称电容器的平均单循环脱盐量为9.35mg/g,平均电流效率为80.53%,相比AC|AC对称电容器,脱盐量和电流效率提高了2倍。而+ZnO/AC|AC不稳定,几个循环后的脱盐量和AC|AC对称电容器的相当,不能改善脱盐效果。进一步通过ZnO纳米粒子的表面Zeta电势分析、电极极化及电极的长期稳定性测试等解释了ZnO作为正极失效的原因,证明了作为负极掺杂剂的可行性和有效性。同时电容器脱盐过程中电极极化现象的首次研究,为电极材料的选择和应用提供非常重要的理论基础。

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