中子入射n+Ga反应截面的理论计算

摘要

该文利用光学模型、复合核反应理论(Hauser-Feshbach理论)、激子模型、扭曲波恩近似等核反应理论模型,对能量在0.01-20MeV间的中子入射n+Ga<'69,71,Nat>的反应截面进行了理论计算.首先,对n+Ga<'69,71>反应的实验数据进行了分析,在此基础上利用APOM程序自动调节中子光学势参数程序,得到了一组相应的中子光学势参数.在上述中子光学势参数的基础上,对能量在0.01-20MeV间的中子入射Ga<'69,71>的反应截面进行了理论计算及分析.结果表明,理论值与实验值符合很好,理论模型是成功的.另外该文在基于对丰度分别为:60.108％和39.892%的核素Ga<,69>和Ga<,71>理论计算的基础上,对中子入射天然核Ga<,Nat>的反应截面的理论计算进行了研究和探索,但有待于进一步完善.在计算中,为了保证整个反应过程的能量守恒,我们严格考虑了反冲核效应的影响.计算结果分析表明,理论值与实验值符合得很好,利用文中给出的理论参数,可以运用光学模型、Hauser-Feshbach理论和激子模型理论从理论上预言核反应,并给出了可供核装置设计应用的B6格式的全套微观数据.

目录

文摘

英文文摘

独创性声明

第一章引言

第二章理论基础

2.1光学模型

2.2复合核反应理论

2.3预平衡反应理论

2.4直接反应理论

第三章n+Ga69，71，Nat核反应的理论计算

3.1中子光学势参数

3.2n+Ga69，71，Nat反应截面的理论计算

第四章结论

参考文献

致谢