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1 绪 论
1.1 垂直腔面发射激光器简介
1.1.1 垂直腔面发射激光器的结构及特点
1.1.2 垂直腔面发射激光器的应用前景
1.2 976 nm波段VCSEL国内外技术现状
1.2.1 国外技术现状
1.2.2 国内技术现状
1.3 本论文研究意义
1.4 本文主要研究内容
1.5 本章小结
2 976 nm大功率VCSEL结构设计与特性计算
2.1 分布布拉格反射镜的设计
2.1.1 DBR材料选择及A1xGa1-xAs折射率
2.1.2 DBR结构设计理论
2.1.3 DBR反射率计算分析
2.1.4 DBR的串联电阻
2.2 多量子阱有源区计算
2.2.1 应变理论
2.2.2 应变材料带隙理论
2.2.3 量子阱材料选择
2.2.4 量子阱组分设计
2.2.5 量子阱阱宽及个数设计
2.3 氧化限制层的设计
2.4 缓冲层的设计
2.5 976 nm VCSEL材料结构的设计
2.6 本章小结
3 不同掺杂对DBR结构材料特性及光学特性的影响
3.1 DBR结构材料的设计
3.2.1 MOCVD生长技术简介
3.2.2 材料测试方法简介
3.3 DBR材料结构的生长
3.4 材料结构的晶体品质分析
3.5 外延材料结构厚度信息
3.6 DBR结构掺杂浓度分布
3.7.1 DBR结构变温PL谱
3.7.2 DBR结构辐射复合机理
3.8 DBR结构反射谱特性
3.9 本章小结
4 VCSEL结构中AlGaAs层的氧化工艺研究
4.1 湿法氧化外延材料结构设计
4.2 材料结构的晶体品质分析
4.3.1 多量子阱有源区结构图
4.3.2 外延材料整体结构图
4.4 湿法氧化工艺介绍
4.5 湿法氧化结果分析
4.5.1 Al0.98Ga0.02As层的氧化
4.5.2 Al0.9Ga0.1As层的氧化
4.6 湿法氧化机理分析
4.7 本章小结
5 976 nm大功率VCSEL结构材料测试及制作工艺
5.1 976 nm大功率VCSEL结构材料测试
5.1.1 976 nm VCSEL材料结构晶体品质分析
5.1.2 976 nm VCSEL结构反射谱特性
5.1.3 976 nm VCSEL结构掺杂浓度分布
5.2 976 nm大功率VCSEL器件制作工艺流程
5.3 本章小结
6.1 结 论
6.2 展 望
致谢
参考文献
在校期间学术成果
西安理工大学;
