Sink/Source双数据速率(DDR)终端稳压器芯片XD8339的设计与研究

摘要

随着便携式电子产品的普及和快速发展，高性能低成本的电源管理解决方案越来越引起广泛的关注。新一代低漏失(LDO)线性稳压器以其超低噪声、高PSRR微功耗和极低的成本成为极具竞争力的电源管理方案之一，将在电源管理市场上发挥重要作用。
　　 本论文以重点科研项目“深亚微米电源管理类集成电路关键技术理论研究与设计”为背景，设计了一款Sink/Source双数据速率(DDR)终端稳压器芯片XD8339该芯片同时采用两个NMOS管作为调整元件，在为双数据速率(DDR)终端提供低漏失电压的同时，向终端提供拉电流和灌电流。论文系统地研究了低漏失线性稳压器的关键特性，并对其理论进行了详尽的分析与推导，全面介绍了系统设计和电路设计。同时，针对在大负载电流条件下仍需达到环路稳定这一技术难点，提出了一种双环路反馈补偿电路，使补偿零点跟随负载电流的变化而变化，从而减小了负载电流对系统稳定性的影响，实现了系统在全负载范围内的环路稳定。
　　 整个芯片设计基于低漏失线性稳压器的基本原理和0.m CMOS工艺，利用CadenceHspice等EDA软件对各模块和整体电路的进行设计及仿真验证。仿真结果表明，电路功能和性能指标均已达到设计要求。