+Gz致大鼠学习记忆功能障碍及生长抑素变化的实验研究

摘要

第三代高性能战斗机能够产生高达+9Gz,高增长率和长时间作用(可持续45s)的+Gz暴露,并可反复出现,已经超过了人体的生理耐受限度,成为威胁飞行安全的主要因素.目前,中国引进及自行研制的第三代高性能战斗机已经大量装备部队,深入研究高G暴露对人体的影响,特别是对脑的影响及其机制是中国航空医学界面临的重要课题.+Gz暴露时的一个主要生理影响就是血液向下身转移,导致脑部血压下降,血液灌流减少,使脑部出现缺血缺氧现象.学习与记忆是动物和人类赖以生存所不可或缺的重要脑功能,学习记忆相关脑区如大脑皮层、海马、丘脑、纹状体等都是对缺血损伤很敏感的区域,短暂性脑缺血/再灌注即可引起上述脑组织的损伤.但目前关于+Gz暴露对脑的影响的研究主要集中在对脑组织形态及机制的探讨方面,对于脑功能的变化却很少涉及.行为学方法是探讨各种应激作用下,脑功能变化的重要研究手段.有研究表明,大鼠的记忆保持能力在高G暴露后受到损害,但高G暴露对学习能力的影响未见报道.学习记忆功能受到多种因素的调控,生长抑素(somatostatin,SS)是中枢神经系统中与学习记忆功能密切相关的一种神经活性肽.脑缺血性损伤时,中枢SS含量显著下降,是导致脑缺血致学习记忆功能受损的重要因素之一.脑缺血预适应可以减轻严重脑缺血导致的各种病理和功能损害,采用低G预适应措施后对神经元也出现了类似的保护作用.那么,高G暴露对大鼠学习记忆功能影响作用的规律如何?此过程中SS是否发生了变化?低G预适应能否改善学习记忆功能受损程度及机制如何?阐明这些问题,对进一步揭示高G暴露致脑的损害及其机制,对发展高效的抗G措施具有重要的理论意义.该研究利用动物离心机模拟+Gz暴露;通过旷场反应,Y-型迷宫实验及避暗实验等多种途径,考察了不同+Gz暴露对大鼠学习记忆功能的影响;采用放射免疫和原位杂交等方法,观察了+Gz暴露后不同脑区SS蛋白和SS mRNA的变化;采用低G预适应措施,探讨了其对高G致学习记忆功能障碍的保护作用,及与脑部SS蛋白变化的相关性.

目录

独创性声明及保护知识产权声明

缩略语表

前言和文献回顾

1前言

2脑缺血性损伤与学习记忆功能的关系（文献综述）

3生长抑素与学习记忆的关系（文献综述）

正文

1不同强度+Gz暴露致大鼠学习记忆功能变化的研究(一)

1.1引言

1.2材料和方法

1.3结果

1.4讨论

2不同强度+Gz暴露致大鼠学习记忆功能变化的研究(二)

2.1引言

2.2材料和方法

2.3结果

2.4讨论

3不同强度+Gz暴露致大鼠脑内生长抑素变化的研究

3.1引言

3.2材料和方法

3.3结果

3.4讨论

4不同强度+Gz暴露致大鼠脑内生长抑素mRNA变化的研究

4.1引言

4.2材料和方法

4.3结果

4.4讨论

5低G预适应对+Gz致大鼠学习记忆功能变化的影响

5.1引言

5.2材料和方法

5.3结果

5.4讨论

6低G预适应对+Gz致大鼠脑内生长抑素变化的影响

6.1引言

6.2材料和方法

6.3结果

6.4讨论

小 结

参考文献

个人简历和攻读学位期间的研究成果

致 谢