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CONTENTS
符号表
第一章 绪论
1.1 课题研究的背景
1.2 国内外发展趋势
1.2.1 半导体量子点
1.2.2 量子点制备方法的研究进展
1.2.3 量子点在发展中存在的问题
1.3 课题主要研究内容
1.4 研究的目的和意义
第二章 样品的制备及测试方法
2.1 实验原理与实验设备
2.1.1 分子束外延(MBE)技术
2.1.2 红外Fourier光谱仪
2.1.3 HP4156A半导体参数分析仪
2.2 样品的制备
2.2.1 衬底的选择与预处理
2.2.2 δ-掺杂GaAs/AIAs多量子阱样品的制备
2.2.3 远红外发光器的制作工艺
2.3 测试方法
第三章 δ-掺杂量子阱Thz远红外发光器件的特性研究
3.1 量子阱的能态结构及限制阱中受主原子的能带结构
3.1.1 异质结量子阱的量子态
3.1.2 受主原子在量子阱中的能级结构
3.2 三量子阱远红外发光器的光学性质
3.2.1 远红外吸收谱
3.2.2 电致发光谱
3.3 三量子阱远红外发光器的I-V特性
第四章 理论计算与讨论
4.1 理论方法
4.2 理论计算
4.3 结果与讨论
4.3.1 受主束缚能与量子阱宽度的变化关系
4.3.2 变分参数与量子阱宽度的变化关系
第五章 总结
5.1 主要结论
5.2 创新点
5.3 有待深入解决的问题
附录
参考文献
致谢
攻读硕士期间发表学术论文及参与课题
学位论文评阅及答辩情况表