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CONTENTS
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体光催化材料的发展历程
1.3 半导体光催化反应原理及影响光催化活性的因素
1.4 半导体共掺杂改性中的电荷补偿机制
1.4.1 非金属与非金属共掺杂
1.4.2 金属与金属离子共掺杂
1.4.3 非金属与金属离子共掺杂
1.5 本文选题思路及主要研究内容
参考文献
第二章 基本理论方法及其应用
2.1 密度泛函理论
2.1.1 Kohn—Sham方程
2.1.2 局域密度近似(Local Density Approximation,LDA)
2.1.3 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)
2.1.4 自洽场计算
2.2 本文采用的密度泛函理论计算软件包
2.2.1 CASTEP软件简介
2.2.2 DMol3软件简介
2.3 本章小结
参考文献
第三章 N掺杂CsTaWO6可见光催化中电荷补偿机制的理论研究
3.1 引言
3.2 计算参数与几何模型
3.3 结果与讨论
3.3.1 纯相与Ns掺杂CsTaWO6
3.3.2 NHs掺杂CsTaWO6
3.3.3 2Ns杂CsTaWO6
3.3.4 2Ns+Vo掺杂CsTaWO6
3.4 结论
参考文献
第四章 金属与非金属共掺杂TiO2表面可见光催化中电荷补偿的理论研究
4.1 引言
4.2 W/2N共掺杂TiO2锐钛矿相(101)和金红石相(110)表面
4.2.1 背景介绍
4.2.2 计算方法
4.2.3 结果与讨论
4.2.4 本节小结
4.3 La/F共掺杂锐钛矿相TiO2(101)表面
4.3.1 背景介绍
4.3.2 计算方法
4.3.3 数据分析与结果讨论
4.3.4 本节小结
4.4 本章小结
参考文献
第五章 总结和展望
5.1 本论文的主要结论
5.2 本论文的创新点
5.3 展望
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文和参与的科研项目