声明
摘要
符号说明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体光催化的基本原理
1.3 本征缺陷和掺杂对材料光催化性能的影响
1.3.1 拓展光吸收范围
1.3.2 促进载流子分离和迁移
1.3.3 光催化反应的活性位点
1.4 本论文的研究内容和结论
参考文献
第二章 第一性原理计算的理论基础
2.1 薛定谔方程
2.2 第一性原理计算的近似处理
2.2.1 非相对论近似
2.2.2 Born-Oppenheimer近似
2.2.3 Hartree-Fock近似
2.3 密度泛函理论
2.3.1 Thomas-Fermi模型
2.3.2 Hobenberg-Kohn定理
2.3.3 Kohn-Sham方程
2.4 交换关联能近似
2.4.1 局域密度近似(LDA)
2.4.2 广义梯度近似(GGA)
2.4.3 LDA+U和GGA+U
2.4.4 杂化密度泛函
2.5 第一性原理计算软件包的介绍
参考文献
第三章 本征缺陷引起的铋基材料近红外光催化性质
3.1 研究背景
3.2 计算方法
3.3 结果和讨论
3.3.1 元素化学势
3.3.2 含不同本征缺陷Bi2W(Mo)O6的电子结构
3.3.3 氧空位缺陷对Bi2W(Mo)O6近红外光催化性质的影响
3.4 本章小结
参考文献
第四章 超薄BiOCl纳米片光催化性质的理论研究
4.1 研究背景
4.2 计算方法
4.3 结果和讨论
4.3.1 元素化学势
4.3.2 表面能和劈裂能
4.3.3 缺陷形成能
4.3.4 Bi空位对BiOCl纳米片光催化性质的影响
4.4 本章小结
参考文献
第五章 本征缺陷和掺杂对Ta3N5光催化性质的影响
5.1 研究背景
5.2 计算方法
5.3 结果和讨论
5.3.1 元素化学势
5.3.2 缺陷形成能和热力学跃迁能级
5.3.3 本征缺陷引起的亚带隙光吸收
5.3.4 碱金属掺杂的Ta3N5
5.4 本章小结
参考文献
第六章 Ag2ZnSn(S1-xSex)4的电子结构和光催化性质
6.1 研究背景
6.2 计算方法
6.3 结果和讨论
6.3.1 Ag2ZnSnS(Se)4的电子结构
6.3.2 载流子有效质量
6.3.3 Se浓度对不同结构Ag2ZnSn(S1-xSex)4光催化性质的调控
6.4 本章小结
参考文献
第七章 总结与展望
7.1 主要的结论和创新点
7.2 展望
致谢
攻读学位期间发表的学术论文及参与的项目等
附录:攻读博士期间所发表的英文论文(原文)