高性能聚硒吩、聚荧蒽及聚吲哚卤素衍生物的电合成

摘要

本论文采用三氟化硼乙醚体系成功地制备了高性能聚硒吩、聚荧蒽、聚5位卤素取代吲哚(包括聚5氟吲哚、聚5氯吲哚和聚5溴吲哚)。同时对获得的聚合物进行了表征。三氟化硼乙醚是一种中等强度的Lewis酸，它与芳香化合物单体相互作用，能有效降低单体的氧化电位，从而提高聚合物性能。主要研究内容如下： 1、首次在三氟化硼乙醚体系中成功地制备了电导率为2.8×10-1Scm-1的高性能聚硒吩膜，硒吩的氧化电位在三氟化硼乙醚中比在乙腈中低0.6V。制备的聚硒吩膜柔韧、致密、均一，能被切割成任意形状。同时研究表明，硒原子对共轭聚合物链的骨架产生明显影响使得聚合物的热稳定性显著提高。 2、首次在三氟化硼乙醚溶液中进行了荧蒽单体的电化学聚合，并成功制备了高性能的聚荧蒽膜，其电导率约为10-2Scm-1。制备的聚荧蒽膜在浓硫酸中表现出较好的氧化还原活性和较高的稳定性。聚荧蒽能部分溶解于极性有机溶剂，其溶解部分有较强的荧光。通过量化计算和1H-NMR光谱分析，表明荧蒽在三氟化硼乙醚中电化学聚合时，聚合可能发生在荧蒽环的C3、C4、C13和C14位。 3、首次在三氟化硼乙醚溶液中合成了5位卤素取代聚吲哚膜，在该体系中，5位卤素取代吲哚的氧化电位均低于相同条件下在乙腈体系中的氧化电位，吲哚和5位卤素取代吲哚的氧化电位变化都呈现出一定的规律性，即EFin＞EClin＞EBrin＞Eindole。通过红外光谱和1H-NMR光谱分析，表明5位卤素取代吲哚在三氟化硼乙醚中电化学聚合时，聚合发生在吲哚环的C2和C3位。

目录

文摘

英文文摘

第一章前言

第二章实验方法

第三章三氟化硼乙醚中高性能聚硒吩膜的电化学合成

第四章新型导电聚合物聚荧蒽的电化学合成与表征

第五章5位卤素取代吲哚的聚合、表征与比较

结论

参考文献

附录论文图表索引

致谢

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