应变纤锌矿半导体柱形量子点中光吸收及其压力效应

摘要

在有效质量近似下，研究了应变纤锌矿半导体GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中基态与第一激发态波函数、能级和导带内的子带光吸收及其压力效应。数值计算了线性和非线性光吸收系数随量子点尺寸、组分和光照强度的变化，讨论了流体静压力对线性和非线性光吸收的影响。
　　结果表明：随着量子点尺寸的减小和组分的增加子带跃迁吸收峰升高且发生蓝移；GaN/AlxGa1-xN量子点子带跃迁产生的吸收峰值会随流体静压力的减小而增加且发生红移。

目录

1 绪 论

1.1 国内外研究现状

1.2 论文研究内容及安排

2 应变纤锌矿柱形量子点中子带光吸收及其压力效应

2.1 理论模型

2.2 压力调制下应变对物理参数的影响

2.3 数值计算与结果讨论

2.4 结论

致谢

参考文献

作 者 简 介