电刺激上矢状窦偏头痛模型大鼠的小直径三叉神经元兴奋性的改变及离子通道机制

摘要

目的：研究电刺激上矢状窦区硬脑膜偏头痛模型对大鼠的三叉神经元的兴奋性的影响以及对电压门控型钠离子通道、钾离子通道、钙离子通道的影响。
　　方法：运用酶联免疫吸附测定技术（ELISA）检测颈外静脉血浆中的降钙素基因相关肽（CGRP）的浓度；运用免疫荧光技术分别检测CGRP在大鼠三叉神经节（TG）及三叉神经脊束核尾核（TNC）中的表达及定位；运用全细胞膜片钳技术研究三叉神经节小直径神经元兴奋性的改变和离子通道机制。
　　结果：本实验的研究结果表明1）ELISA发现电刺激模型组(ES组)在颈外静脉血浆中CGRP浓度较手术对照(Sham组)增长了近4倍。2）免疫荧光技术发现ES组大鼠的CGRP在TG和TNC中的表达明显高于Sham组大鼠。3) IB4活细胞染色发现，ES组IB4-神经元所占比例升高。4）ES组大鼠三叉神经元的放电频率10.14±5.11较Sham3.95±2.14明显增加，且ES组大鼠IB4-和IB4+的TG神经元兴奋性较Sham组均明显增加。5）电生理实验表明，电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜对TG神经元钠离子通道以及延迟整流型钾通道并无明显影响，但是ES组大鼠TG神经元的高电压钙通道电流密度54.07±20.30pA/pF较Sham组34.20±13.63pA/pF明显升高且IB4-神经元的电流密度也明显升高，ES组大鼠仅IB4-神经元的低电压钙通道电流密度明显升高，而ES组大鼠TG神经元的A型钾通道电流密度65.11±17.09pA/pF较Sham组91.63±30.28pA/pF却受到明显抑制。
　　结论：电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜能够明显增加颈外静脉血浆中CGRP的浓度，CGRP在TG和TNC中的表达也明显升高，且肽能神经元所占比例升高；电刺激大鼠上矢状窦区硬脑膜能够明显增加TG神经元的兴奋性，并增加高电压钙离子通道电流密度，选择性增加IB4-小直径TG神经元的高电压钙通道和低电压钙通道电流，同时抑制A型钾离子通道电流密度，但对钠通道和延迟整流型钾通道电流密度无明显影响。

目录

声明

引言

材料和方法

一、实验材料

二、实验方法

结果

一、电刺激上矢状窦能够促进CGRP的表达

二、电刺激上矢状窦后IB4-三叉神经元所占比例升高

三、电刺激上矢状窦能够增加TG神经元的兴奋性

四、电刺激上矢状窦对TG神经元的离子通道的影响

讨论

一、CGRP参与偏头痛的发生发展

二、电刺激上矢状窦区硬脑膜使大鼠小直径三叉神经元兴奋性增加

三、肽能和非肽能神经元在偏头痛发展中的作用

结论

参考文献

综述:偏头痛发病机制的研究进展

缩略词表

致谢