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目录
第一章 绪论
1.1射频功率晶体管概述
1.2隔离技术
1.3本文的主要工作
第二章 RF VLT SOI LDMOS的基本性能研究
2.1 RF VLT SOI LDMOS结构
2.2 RF VLT SOI LDMOS的击穿特性
2.3 RF VLT SOI LDMOS的导通特性
2.4 RF VLT SOI LDMOS的电容特性
2.5 RF VLT SOI LDMOS的频率特性
2.6本章小结
第三章 RF VLT SOI LDMOS的工艺设计研究
3.1工艺方案设计
3.2工艺参数设计
3.3工艺制备步骤
3.4工艺器件联合仿真
3.5本章小结
第四章 RF VRD LDMOS的基本性能研究
4.1 RF VRD LDMOS结构
4.2 RF VRD LDMOS的击穿特性
4.3 RF VRD LDMOS的导通电阻
4.4 RF VRD LDMOS的直流输出特性
4.5 RF VRD LDMOS的电容特性
4.6 RF VRD LDMOS的频率特性
4.7本章小结
第五章 RF VDR LDMOS的工艺设计研究
5.1基于RIE技术的工艺方案设计
5.2基于RIE技术的工艺制备步骤
5.3基于STI技术的工艺方案设计
5.4基于STI技术的工艺制备步骤
5.5本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目
致谢