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1绪论
2功率放大器基本理论
3PHEMT模型及参数设计
4MMIC芯片设计
5MMIC芯片设计、仿真和优化
6简述MMIC加工工艺
结论
致谢
参考文献
薛黎;
南京理工大学;
X波段; MMIC工艺; 功率放大器; PHEMT模型; 参数提取方法;
机译:紧凑型X波段sige功率放大器,适用于单芯片相控阵雷达应用
机译:效率为60%,输出功率为30W X波段功率放大器,效率为33%,输出功率为100W Ku波段功率放大器,采用0.15μmGaN HEMT
机译:效率使用0.15μmGaN HEMT,60%输出30W X波段功率放大器和效率33%,输出100W KU带功率放大器
机译:使用SiGe HBT的890 mW堆叠功率放大器,用于X波段多功能芯片
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:使用芯片芯片和芯片SEQ研究基因表达的调节:基因组 - 范围内化研究揭示了转录伸长的广泛调节
机译:具有成本效益的10瓦X波段大功率放大器和1瓦驱动器放大器芯片组
机译:用于X波段应用的GaN基微波功率放大器的研制
机译:固体功率放大器X波段
机译:具有缝合在一起的模块化芯片区域的单片集成电路芯片
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