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摘要
1 绪论
1.1 引言
1.2 红外光电探测器发展历史
1.3 读出电路的发展历史
1.4 红外焦平面阵列及其读出电路的发展趋势
1.5 课题研究工作的意义
1.6 课题研究内容及方法
2 红外焦平面读出电路的相关技术
2.1 红外探测器的分类
2.2 红外焦平面阵列读出电路工作原理
2.3 读出电路的分类
2.4 典型CMOS读出电路结构
2.4.1 自积分型读出电路(SI ROIC)
2.4.2 源随器型读出电路(SFD ROIC)
2.4.3 直接注入读出电路(DI ROIC)
2.4.4 反馈增强直接注入读出电路(FEDI ROIC)
2.4.5 电流镜栅调制读出电路(CM ROIC)
2.4.6 电阻负载栅调制读出电路(RL ROIC)
2.4.7 电容反馈跨阻抗放大器读出电路(CTIA ROIC)
2.4.8 电阻反馈跨阻放大器读出电路(RTIA ROIC)
2.5 CMOS读出电路参数特性
2.5.1 积分时间
2.5.2 噪声
2.5.3 动态范围
2.5.4 工作温度
2.5.5 读出速率
2.5.6 功耗
2.5.7 探测器偏置
2.5.8 辐射强度
2.5.9 电荷存储能力
2.5.10 像元和阵列的面积
2.6 与读出电路设计相关的因素与问题
3 320×256高性能红外焦平面读出电路的设计及仿真
3.1 概述
3.2 电路主要功能
3.3 电路设计
3.3.1 电路结构
3.3.2 工作时序
3.3.3 外引脚功能定义
3.3.4 工作条件
3.4 模拟电路
3.4.1 像元电路
3.4.2 电荷放大器
3.4.3 列缓冲放大器
3.4.4 灰电平控制
3.4.5 缓冲输出放大器
3.5 数字电路
3.5.1 一路输出时序
3.5.2 四路输出时序
3.6 电路设计验证
3.6.1 信号读出功能验证
3.6.2 技术指标验证
3.7 本章小结
4 读出电路版图设计
4.1 MOS集成电路的工艺设计
4.1.1硅栅工艺的特点
4.2 体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择
4.2.1 P阱工艺
4.2.2 N阱工艺
4.2.3 双阱工艺
4.3 集成电路版图设计规则
4.3.1 版图的层次
4.3.2 版图的分析和检验
4.4 版图设计
4.4.1 端口ESD设计
4.4.2 版图设计说明
4.4.3 布局设计和布线设计
5 总结与展望
致谢
参考文献