声明
摘要
1 绪论
1．1 半导体光催化的原理
1．2 影响光催化活性的内因
1．2．1 半导体的能带位置
1．2．2 光生电子和空穴的分离与捕获
1．2．3 晶体结构
1．2．4 晶格缺陷
1．2．5 比表面积
1．2．6 半导体粒径尺寸
1．3 可见光催化剂
1．3．1 TiO2改性光催化剂
1．3．2 铋系光催化剂
1．3．3 新型催化剂石墨相氮化碳
1．4 可见光催化剂的改性
1．4．1 非金属掺杂
1．4．2 贵金属沉积
1．4．3 光敏化
1．4．4 半导体复合
1．5 不同形貌催化剂的制备方法
1．5．1 溶剂热法
1．5．2 软模板法
1．5．3 硬模板法
1．5．4 其他方法
1．6 本课题研究的内容
2 实验部分
2．1 实验试剂及仪器
2．2 实验方法
2．2．1 介孔石墨相氮化碳的制备
2．2．2 载钴介孔石墨相氮化碳的制备
2．3 表征方法
2．3．1 X射线衍射(XRD)
2．3．2 高分辨透射电镜(HRTEM)
2．3．3 N2吸附-脱附
2．3．4 X射线光电子能谱(XPS)
2．3．5 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)
2．3．6 紫外-可见漫反射光谱(Uv-VIS DRS)
2．3．7 元素分析仪
2．3．8 光电化学测试
2．4 催化剂的光催化性能分析
2．4．1 光催化反应实验流程及装置
2．4．2 目标污染物的选取及分析方法
2．4．3 光催化反应动力学的确定
2．5 回收重复利用性能测试方法
3 载钴mpg-C3N4的制备及表征
3．1 载钴mpg-C3N4的制备
3．1．1 mpg-C3N4的制备
3．1．2 载钴mpg-C3N4的制备
3．2 结构表征
3．2．1 X射线衍射分析(XRD)
3．2．2 傅里叶红外光谱(FT-IR)
3．3 形貌表征
3．3．1 透射电镜分析(HRTEM)
3．3．2 N2吸附-脱附分析
3．4 元素分析
3．5 X射线能谱分析(XPS)
3．6 光吸收及光电化学性能分析
3．6．1 紫外漫反射光谱(UV-VIS DRS)
3．6．2 光电化学测试
3．7 本章小结
4 载钴mpg-C3N4光催化性能研究
4．1 载钴mpg-C3N4光催化降解MB性能分析
4．1．1 不同钴负载量对MB光催化降解的影响
4．1．2 焙烧温度对光催化降解MB的影响
4．1．3 催化剂的重复使用对光催化降解MB的影响
4．1．4 降解MB机理的初探
4．2 载钴mpg-C3N4光催化降解BPA性能分析
4．2．1 不同钻负载量对BPA光催化降解的影响
4．2．2 mpg-C3N4和载钴mpg-C3N4的光催化活性对比
4．2．3 溶液初始pH值对BPA光催化降解的影响
4．2．4 TOC分析
4．3 本章小结
5 结论与建议
5．1 结论
5．2 建议
致谢
参考文献
附录
南京理工大学;
