声明
摘要
第一章 绪论
1.1 半导体光催化材料
1.1.1 半导体光催化材料的研究背景
1.1.2 半导体光催化技术的基本原理
1.1.3 提高半导体光催化材料活性的途径与方法
1.1.4 半导体光催化材料的应用
1.2 g-C3N4光催化材料的研究进展
1.2.1 g-C3N4材料的概述
1.2.2 g-C3N4材料的制备方法
1.2.3 g-C3N4材料的改性研究
1.3 反应型离子液体在无机纳米材料合成中的应用
1.3.1 离子液体介绍
1.3.2 离子液体中纳米金属氧化物的合成
1.3.3 金属纳米粒子的合成
1.3.4 非金属纳米材料的合成
1.3.5 多孔纳米材料的合成
1.4 本论文的主要研究内容
第二章 g-C3N4/α-Fe2O3材料的制备及其可见光降解亚甲基蓝的研究
2.1 前言
2.2 实验部分
2.2.1 实验试剂
2.2.2 实验仪器
2.2.3 催化剂的制备
2.2.4 光催化剂的表征
2.2.5 光催化活性研究
2.2.6 光电流测量
2.3 结果与讨论
2.3.1 X射线衍射(XRD)分析
2.3.2 红外光谱(FT-IR)分析
2.3.3 扫描电镜(SEM),能谱分析(EDS)和透射电镜(TEM)
2.3.4 紫外漫反射(DRS)光谱分析
2.3.5 瞬态光电流(Photocurrunt)分析
2.3.6 光催化性能研究
2.3.7 催化剂的稳定性
2.3.8 光催化活性增强可能的机理
2.4 本章小结
第三章 g-C3N4/ZnO材料的制备及其可见光降解亚甲基蓝的研究
3.1 前言
3.2 实验部分
3.2.1 实验试剂
3.2.2 实验仪器
3.2.3 催化剂的制备
3.2.4 催化剂的表征
3.2.5 光催化活性研究
3.2.6 光电流测量
3.3 结果与讨论
3.3.1 X射线衍射(XRD)分析
3.3.2 红外光谱(FT-IR)分析
3.3.3 透射电镜(TEM)和能谱分析(EDS)
3.3.4 紫外漫反射(DRS)光谱分析
3.3.5 瞬态光电流(Photocurrunt)分析
3.3.6 电化学阻抗(EIS)分析
3.3.7 光催化活性研究
3.3.8 光催化活性增强可能的机理
3.4 本章小结
第四章 Cu/g-C3N4材料的制备及其可见光降解亚甲基蓝的研究
4.1 前言
4.2 实验部分
4.2.1 实验试剂
4.2.2 实验仪器
4.2.3 催化剂的制备
4.2.4 光催化剂的表征
4.2.5 光催化活性研究
4.2.6 光电流测量
4.3 结果与讨论
4.3.1 X射线衍射(XRD)分析
4.3.2 红外光谱(FT-IR)分析
4.3.3 透射电镜(TEM)和能谱分析(EDS)
4.3.4 紫外漫反射(DRS)光谱分析
4.3.5 瞬态光电流(Photocurrunt)分析
4.3.6 电化学阻抗(EIS)分析
4.3.7 光催化性能研究
4.3.8 光催化活性增强可能的机理
4.4 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致谢