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仿生形貌碳化物材料的合成与光催化制氢性能研究

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摘要

第一章 绪论

1.1 前言

1.2 光催化反应

1.3 碳化物半导体材料

1.3.1 碳化硅结构

1.3.2 碳化钨材料

1.3.3 碳化铁

1.4 碳化物的制备方法

1.4.1 还原渗碳法

1.4.2 化学气相沉积法

1.4.3 溶胶-凝胶法

1.4.4 模板法

1.5 生物模板

1.6 本论文的选题依据和主要研究内容

第二章 碳化硅的高温合成及表征

2.1 引言

2.2 实验过程

2.2.1 实验步骤

2.2.2 样品的表征

2.3 结果与讨论

2.3.1 前驱体的热解过程

2.3.2 X-射线衍射

2.3.3 氮气吸-脱附测试

2.3.4 扫描电子显微镜照片

2.4 本章小结

第三章 碳化钨的中温合成及表征

3.1 引言

3.2 实验过程

3.2.1 实验步骤

3.2.2 样品的表征

3.3 结果与分析

3.3.1 X-射线衍射

3.3.2 氮气吸-脱附测试

3.3.3 扫描电子显微镜

3.4 本章小结

第四章 碳化铁的低温合成及表征

4.1 引言

4.2 实验过程

4.2.1 实验步骤

4.2.2 样品的表征

4.3 结果与讨论

4.3.1 确定最佳煅烧温度

4.3.2 X-射线衍射

4.3.3 产物讨论

4.3.5 氮气吸-脱附测试

4.3.6 碳化铁的磁性能研究

4.4 本章总结

第五章 碳化物的光催化制氢性能研究

5.1 引言

5.2 光催化材料

5.3 光催化性能研究

5.3.1 紫外-可见吸收光谱分析

5.3.2 光生电流测试及结果

5.3.3 染料脱色指针反应

5.3.4 光解水制氢

5.4 本章小结

第六章 结论与展望

6.1 结论

6.2 研究展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的学术论文

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摘要

利用太阳能将水分解成清洁无污染、可再生的氢气,是解决日益严重的环境污染和能源短缺问题的主要途径之一。实现这一绿色目标的根本手段是光催化技术,而半导体光催化剂则是光催化技术的关键与核心,碳、碳化硅及金属碳化物等含碳材料在半导体领域有着极大的应用潜力。
  本论文以此为研究对象,在对上述碳化物材料的制备、应用等方面的发展现状进行了充分调研的基础上,遵循自下而上的生物模板合成机理,探索了简单易行、无毒环保且经济高效的仿生材料合成策略。
  把桂花树叶进行处理后,以它的叶脉作为模板,后分别浸渍正硅酸四乙酯、钨酸的氨溶液、氯化铁溶液,经过滤烘干后,放置于通高纯氮气的管式炉中煅烧至不同温度制备了仿生碳化硅、碳化钨和碳化铁材料。用X射线衍射仪(XRD)、氮气脱吸附仪(BET)、扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的结构进行表征,用电化学工作站、振动磁强计对它们的性能进行测试,并将材料用于可见光制氢催化。
  实验表明碳化物材料能完整的复制桂花叶脉结构,合成的碳化钨、碳化硅和碳化铁呈棒状结构,直径约为100um,比表面积较大,分别为72.3m2/g、84.7m2/g和94.65m2/g,煅烧温度对产物的合成具有关键影响,温度偏低时存在氧化物杂质,而当温度升高时,金属碳化物材料将被还原为金属单质,且三种材料皆发生团聚现象,使颗粒增大。而纯碳化物合成温度中,碳化铁的温度最低,碳化硅的温度最高,这是由于在碳化物合成的过程中加入可起到催化作用的金属离子,将碳化物的合成温度大大降低。
  利用光生电流曲线以及对罗丹明B染料降解指针反应表征仿生形貌碳化物材料的光催化能力,碳化铁的光生电流能力最大,碳化钨最弱,而在染料光催化降解反应中,碳化铁的降解效率最高,280min后降解率达到98%,这是因为碳化物构成的不同,碳化铁的禁带间隙最低为2.0 eV,可以吸收最多的可见光能,而碳化钨的禁带间隙最高为3.22 eV,吸收光能最少;在光催化制氢反应中,碳化铁的光催化性能最高,光照420 min后产氢量达到105μmol/g,这与光生电流及染料光催化降解反应的结果相吻合。

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