应用于WSN的0.18μm CMOS功率放大器的设计与实现

目录

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摘要

第一章 绪论

1．1 研究背景

1．2 研究内容和设计指标

1．2．1 研究内容

1．2．2 电路结构和所用工艺的选择

1．2．3 设计指标

1．3 论文组织结构

第二章 功率放大器的基本原理

2．1 功率放大器的简介

2．2 功率放大器的分类

2．2．1 D类功率放大器

2．2．2 E类功率放大器

2．2．3 F类功率放大器

2．3 CMOS功率放大器设计要点

2．3．1 低击穿电压问题

2．3．2 衬底问题

2．3．3 MOS晶体管低跨导问题

2．3．4 MOS晶体管模型问题

2．4 本章小结

第三章 D类功率放大器结构的分析与比较

3．1 电压型D类功率放大器

3．1．1 电压型D类功率放大器损耗分析

3．1．2 电压型D类功率放大器工作状态的分析

3．2 电流型D类功率放大器

3．3 D类功率放大器类型选择

3．4 本章小结

第四章 应用于WSN的D类功率放大器设计

4．1 应用于WSN的D类功率放大器的设计

4．1．1 功率放大器结构设计

4．1．2 驱动放大级设计

4．1．3 输出放大级设计

4．1．4 匹配网络设计

4．1．5 偏置电路设计

4．1．6 功率控制设计

4．2 电路性能前仿真

4．3 本章小结

第五章 功率放大器版图设计和芯片测试

5．1 版图设计方法

5．1．1 寄生参数

5．1．2 对称性

5．1．3 闩锁效应

5．1．4 线电流密度

5．1．5 天线效应

5．1．6 耦合效应

5．2 功率放大器的版图设计及后仿真

5．3 功率放大器芯片测试

5．3．1 芯片的键合方案

5．3．2 测试仪器

5．3．3 芯片测试方案

5．3．4 功率放大器的测试结果总结与分析

5．4 本章小结

第六章 工作总结和展望

6．1 工作总结

6．2 工作展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文