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离子壁垒膜对带电粒子的阻止和透过性能研究

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文摘

英文文摘

第一章绪论

第二章微通道板离子壁垒膜性能理论分析

第三章离子壁垒膜对带电粒子的阻止和透过特性研究

第四章离子壁垒膜对三代微光像增强器性能的影响

第五章结论

致谢

参考文献

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摘要

本论文对微通道板离子壁垒膜的电子透过和离子阻止性能作了分析,研究带电粒子与薄膜的相互作用、带电粒子在薄膜中分布函数、蒙特卡罗离子壁垒膜模拟等,对离子壁垒膜的电子透过和离子阻止过程进行了概要的理论分析和模拟,以充实离子壁垒膜技术的研究。从理论上给出了Al2O3离子壁垒膜几何厚度与电子透过和阻止正离子能力的定性关系,得出5nm几何厚度的Al2O3单晶或非晶薄膜理论上可以有效地阻止正离子反馈,电子的透过率可达95﹪以上的结论,与实验结果基本吻合。

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