AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征

摘要

Al<,x>Ga<,1-x>N半导体材料有着广泛的用途，其中之一是在紫外探测器制作中的应用。Al<,x>Ga<,1-x>N的带隙从3.4eV到6.2eV，对应的波长范围从365nm到200nm，覆盖了光谱中主要的紫外区。要达到日盲型紫外探测(截止波长小于280nm)，必须使用Al组分高于40％的AlGaN材料作为有源层，作为窗口层的AlGaN材料更需要达到60％左右。由于高Al组分的AlGaN材料生长过程中存在着强气相预反应，因此随着Al组分增加，AlGaN材料的外延生长难度增大，材料晶体质量下降。另外，Al-N键和Ga-N键的键能差别很大，造成晶体生长时Al原子和Ga原子具有不同的表面迁移率，加剧了外延生长难度。 本论文采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构，进行了表面形貌和晶体质量、以及应变分析、后期器件制作的初步研究等。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章绪论

§1.1引言

§1.2探测器的工作原理及分类

§1.3紫外探测器研究进展

§1.4论文的研究内容

第二章实验及测试原理

§2.1 MOCVD外延技术

§2.2测试方法及其原理

第三章AlGaN材料的外延实验及特性研究

§3.1外延实验

§3.2特性研究

§3.3研究结果

器件的初步研究

§4.1器件制备

结论

攻读硕士学位期间发表的学术论文

致谢

参考文献