首页> 中文学位 >用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的制备与表征
【6h】

用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的制备与表征

代理获取

目录

声明

摘要

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 白光LED技术

1.3 WLED用荧光粉的研究进展

1.4 本文研究的意义及内容

第二章 WLED的有关理论

2.1 发光的原理及影响

2.2 荧光粉发光原理及其制备

2.3 白光LED原理

第三章 Sr3SiO5:Eu2+制备与表征

3.1 实验用的试剂及仪器、设备

3.2 制备Sr3SiO5:Eu2+样品的工艺过程

3.3 Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的实验方案

3.3 样品的表征

第四章 结果与讨论

4.1 Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的表征

4.2 灼烧温度对Sr3SiO5:Eu2+的影响

4.3 灼烧时间对样品的影响

4.4 掺杂铕离子含量对样品影响

4.5 Ba2+含量对Sr3SiO5:Eu2+荧光粉影响

4.5 助熔剂对Sr3SiO5:Eu2+性能的影响

4.6 BaF2的含量对Sr3SiO5:Eu2+性能的影响

4.7 不同温度通入气体时对样品的影响

结论

致谢

参考文献

展开▼

摘要

本文采用传统的高温固相法合成了Sr3SiO5∶Eu2+荧光材料。利用XRD、PL、SEM等方法对样品的物相、发光性能和微观形貌进行了测试与分析。研究了灼烧温度、保温时间、助熔剂含量、稀土Eu2+的掺杂量等对Sr3SrO5∶Eu2+荧光粉物相形成过程、晶体结构、发光性能的影响。实验结果表明制备样品的最佳工艺和条件为:灼烧温度为1480℃、灼烧时间为6h、助熔剂含量为1wt%、Eu2+掺杂浓度为7%等。表明,样品的激发光谱为波峰位置在450nm到500nm之间的宽带谱;发射光谱是位于500nm到670nm的连续光谱,发射光谱的波峰位置在570nm左右。对于样品来说,稀土Eu2+淬灭或者临界摩尔浓度为7%左右,当掺杂浓度大于7%时,样品的发射光强度逐渐降低直至发光完全消失。此外,本文还研究了Ba2+含量对Sr3SiO5∶Eu2+发光性能和晶体结构的影响。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号