半导体激光器真空解理钝化工艺研究

摘要

半导体激光器具有输出功率大、体积小、阈值电流低、调制简单、电光转换效率高的特点。伴随着国防科技的进步和社会的发展，使半导体激光器在各方面的应用和需求日益广泛和巨大，因此，对半导体激光器的可靠性和稳定性的研究显得越来越重要。半导体激光器退化的主要表现为功率降低，量子效率变小，而造成这种结果的主要原因是半导体激光器的腔面退化。本论文以激射波长为808nm的GaAs基量子阱半导体激光器做为研究对象，提出了在真空中对半导体激光器进行腔面解理和蒸镀钝化膜的腔面处理方法，使半导体激光器的输出功率和COD阈值特性都有一定程度的提高，从而提高半导体激光器的可靠性。
　　在半导体激光器解理钝化工艺方面，本文深入研究了半导体激光器真空解理钝化的工艺流程，并且对钝化膜的选取和厚度以及钝化膜对半导体激光器光学膜系统的影响也做了相关的研究。

目录

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摘要

第一章 绪论

1．1 半导体激光器的发展历史及主要应用

1．2 半导体激光器国内外发展现状

1．3 论文研究的目的及内容

第二章 半导体激光器基础原理与技术

2．1 半导体内量子跃迁的过程

2．2 半导体激光器的基本工作原理

2．3 半导体激光器的基本结构

2．4 材料检测与表征方法

第三章 半导体激光器钝化工艺分析研究

3．1 表面态的定义

3．2 半导体激光器COD的产生和提高方法

3．3 半导体激光器钝化概念的提出和定义

3．4 半导体激光器钝化工艺研究进展

3．5 各种钝化工艺方法比较

第四章 半导体激光器真空解理钝化工艺分析与研究

4．1 真空解理钝化方法的提出

4．2 钝化膜材料的选取

4．3 实验设计

4．4 真空解理钝化结果

4．5 半导体激光器外延结构

4．6 半导体激光器钝化后腔面镀膜

4．7 真空解理钝化对半导体激光器COD的影响

4．8 本章小结

结论

致谢

参考文献

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