C60有机薄膜晶体管的制备研究

摘要

在互补集成电路中，N型器件性能的偏低会限制整体的电路发展，本文针对N型器件迁移率偏低，对N型器件性能进一步的优化。
　　本文中对C60有机薄膜晶体管进行了制备和研究。利用真空镀膜技术从两方面的研究对器件进行优化：其一是研究了不同材料对绝缘层修饰后对器件的影响，同时进行衬底温度的提升，进一步对比了器件性能的变化；其二，研究电极修饰对器件性能的影响。
　　对不同修饰层、不同温度下C60形貌进行了对比，并且对电极修饰后器件性能提升的原因进行了分析。界面修饰后实现最大程度的器件优化，成功制备出了迁移率达到1.990cm2/Vs的器件。

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第一章 绪 论

1.1 研究背景和意义

1.2 OTFT的发展和现状

1.3 OTFT的应用领域

1.4 N型OTFT的现状

1.5本论文研究的主要内容

第二章 有机薄膜晶体管的制备

2.1 C60材料的简介

2.2 真空蒸镀工艺

2.3 OTFT器件的结构原理

2.3.1 OTFT的基本结构

2.3.2 OTFT的工作原理

2.4 界面修饰的原理

2.5 性能参数的提取

2.5.1 OTFT的特性曲线

2.5.2 OTFT主要性能指标

第三章 界面修饰对器件性能的影响

3.1 器件的制备

3.2 常温下绝缘层的界面修饰

3.2.1常温下绝缘层修饰对器件性能的影响

3.2.2 C60薄膜形貌测试和分析

3.3 高温基底下绝缘层的界面修饰

3.3.1高温基底下绝缘层修饰对器件性能的影响

3.3.2 C60薄膜形貌测试和分析

第四章 电极的界面修饰对器件的影响

4.1器件的制备

4.2电极修饰对器件性能影响

4.3电子注入增强的原因解析

结论

致谢

参考文献