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几种Bi基核—壳型纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究

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目录

摘要

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 Bi基化合物半导体

1.2.1 Bi基化合物

1.2.2 氧化铋和硫化铋半导体

1.2.3 卤氧化铋半导体

1.3 核-壳型半导体材料

1.3.1 核-壳型半导体材料概述

1.3.2 核-壳型半导体材料的性能

1.3.3 不同形貌的核-壳型纳米半导体材料的制备

1.4 光电化学应用

1.4.1 半导体光电化学

1.4.2 光电化学太阳能电池

1.5 本文的构思与主要工作

第二章 Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究

2.1 引言

2.2 实验部分

2.2.1 试剂和溶液配置

2.2.2 FTO/Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备

2.2.3 表征方法

2.2.4 光电化学性能测试

2.3 结果与讨论

2.3.1 Bi2Ox和Bi2Ox@Bi2S3薄膜的表征

2.3.2 Bi2Ox、Bi2Ox@Bi2S3和Bi2S3薄膜电极的光电化学性能

2.4 小结

第三章 纳米片状BiOCl半导体薄膜的制备及表层脱Cl-嵌S2-提高光电化学性能

3.1 引言

3.2 实验部分

3.2.1 试剂、溶液配置

3.2.2 BiOCl和SS-BiOCl半导体薄膜的制备

3.2.3 表征方法

3.2.4 光电化学性能测试

3.3 结果与讨论

3.3.1 Bi电极在NaCl溶液中的电化学行为

3.3.2 BiOCl,SS-BiOCl和CS-BiOCl薄膜的表征

3.3.3 BiOCl,SS-BiOCl和CS-BiOCl薄膜电极的光电化学性能

3.3.4 BiOCl和[BiS]的能带位置计算

3.4 小结

第四章 纳米片状BiOBr半导体薄膜的制备及表层脱Br-嵌S2-提高光电化学性能

4.1 引言

4.2 实验部分

4.2.1 试剂与溶液配置

4.2.2 BiOBr和SS-BiOBr半导体薄膜的制备

4.2.3 表征方法

4.2.4 光电化学性能测试

4.3 结果与讨论

4.3.1 Bi电极在KBr溶液中的电化学行为

4.3.2 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜的表征

4.3.3 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜电极的光电化学性能

4.3.4 BiOBr和[BiS]的能带位置计算

4.4 小结

结语

参考文献

攻读学位期间发表的文章

致谢

声明

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摘要

Ⅱ型核-壳半导体因其特有的交错能带结构,已被广泛应用于光学器件、光电子器件、光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂等领域。在本学位论文中,研究了Bi2Ox@Bi2S3,表面硫化的BiOCl(SS-BiOCl)和表面硫化的BiOBr(SS-BiOBr)几种Bi基Ⅱ型核-壳半导体薄膜的制备、表征及其光电化学性能。主要内容如下:
  (1)先于导电玻璃上通过高温热解一定量的Bi(NO3)3得到Bi2Ox多孔薄膜,然后通过表面硫化处理制得Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构多孔半导体薄膜;用XRD和XPS表征方法确认Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构薄膜的形成;考察Bi(NO3)3溶液原始浓度及不同硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。
  (2)先于NaCl溶液中,在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极,制得纳米片状BiOCl薄膜,然后通过在Na2S溶液中S2-和BiOCl层间Cl-的交换合成了表面硫化的纳米片状BiOCl(SS-BiOCl)壳-核结构半导体薄膜;用XRD、XPS和Raman光谱表征方法确认SS-BiOCl壳-核结构薄膜的形成;考察不同阳极化电势、时间及硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。
  (3)先于KBr溶液中,在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极,制得纳米片状BiOBr薄膜,然后通过在Na2S溶液中S2-和BiOBr层间Br-的交换合成了表面硫化的纳米片状BiOBr(SS-BiOBr)壳-核结构半导体薄膜;用XRD、XPS和Raman光谱表征方法确认SS-BiOCl壳-核结构薄膜的形成;考察不同阳极化电势、时间及硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。

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