摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 Bi基化合物半导体
1.2.1 Bi基化合物
1.2.2 氧化铋和硫化铋半导体
1.2.3 卤氧化铋半导体
1.3 核-壳型半导体材料
1.3.1 核-壳型半导体材料概述
1.3.2 核-壳型半导体材料的性能
1.3.3 不同形貌的核-壳型纳米半导体材料的制备
1.4 光电化学应用
1.4.1 半导体光电化学
1.4.2 光电化学太阳能电池
1.5 本文的构思与主要工作
第二章 Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 试剂和溶液配置
2.2.2 FTO/Bi2Ox@Bi2S3核-壳结构多孔半导体薄膜的制备
2.2.3 表征方法
2.2.4 光电化学性能测试
2.3 结果与讨论
2.3.1 Bi2Ox和Bi2Ox@Bi2S3薄膜的表征
2.3.2 Bi2Ox、Bi2Ox@Bi2S3和Bi2S3薄膜电极的光电化学性能
2.4 小结
第三章 纳米片状BiOCl半导体薄膜的制备及表层脱Cl-嵌S2-提高光电化学性能
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 试剂、溶液配置
3.2.2 BiOCl和SS-BiOCl半导体薄膜的制备
3.2.3 表征方法
3.2.4 光电化学性能测试
3.3 结果与讨论
3.3.1 Bi电极在NaCl溶液中的电化学行为
3.3.2 BiOCl,SS-BiOCl和CS-BiOCl薄膜的表征
3.3.3 BiOCl,SS-BiOCl和CS-BiOCl薄膜电极的光电化学性能
3.3.4 BiOCl和[BiS]的能带位置计算
3.4 小结
第四章 纳米片状BiOBr半导体薄膜的制备及表层脱Br-嵌S2-提高光电化学性能
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 试剂与溶液配置
4.2.2 BiOBr和SS-BiOBr半导体薄膜的制备
4.2.3 表征方法
4.2.4 光电化学性能测试
4.3 结果与讨论
4.3.1 Bi电极在KBr溶液中的电化学行为
4.3.2 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜的表征
4.3.3 BiOBr,SS-BiOBr和CS-BiOBr薄膜电极的光电化学性能
4.3.4 BiOBr和[BiS]的能带位置计算
4.4 小结
结语
参考文献
攻读学位期间发表的文章
致谢
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