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摘要
第1章 绪论
1.1 前言
1.2 传统半导体存储器简介
1.2.1 只读存储器简介
1.2.2 随机存储器简介
1.3 新型半导体存储器简介
1.3.1 铁电随机存取存储器简介
1.3.2 磁性随机存储器简介
1.3.3 相变存储器简介
1.4 相变存储器
1.4.1 相变存储器的发展和现状
1.4.2 相变存储材料
1.4.3 相变存储器存在的一些问题
1.5 课题的研究目的和主要内容
第2章 实验原理和方法
2.1 透射电子显微镜
2.2 透射电子显微镜的技术方法
2.2.1 选区电子衍射
2.2.2 电子显微像---振幅衬度和相位衬度
2.2.3 电子能量损失谱和X射线能量色散谱
2.3 相变材料的制备和TEM样品
2.4 原子分布函数
2.4.1 衍射实验的选择
2.4.2 衍射强度与原子分布函数的关系
2.4.3 数据的采集和处理
2.5 逆蒙托卡罗模拟
2.6 其它实验和理论方法
第3章 GeTe相变材料的非晶结构
3.1 非晶结构简介
3.2 GeTe非晶结构
3.2.1 背景介绍
3.2.2 实验方法
3.2.3 短程有序结构
3.2.4 中程有序结构:“团簇”和“空位”
3.3 本章小结
第4章 GexTe1-x系列合金的非晶结构
4.1 引言
4.2 GexTe1-x的非晶结构
4.2.1 实验方法
4.2.2 短程有序结构
4.2.3 中程有序结构
4.2.4 非晶GexTe1-x合金结晶行为的讨论
4.3 本章小结
结论
创新点
参考文献
致谢
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录