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915MHz CMOS射频收发机之功率放大器设计

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附表索引

第1章 绪论

1.1 课题背景

1.2 研究现状

1.3 研究内容

1.4 论文结构

第2章 射频收发机结构简介

2.1 射频接收机架构简介

2.1.1 超外差结构接收机

2.1.2 零中频结构接收机

2.1.3 低中频结构接收机

2.2 射频发射机结构简介

2.2.1 超外差结构发射机

2.2.2 直接上变频结构发射机

2.2.3 直接数字调制结构发射机

2.3 射频收发机指标预算

2.3.1 射频接收机指标预算

2.3.2 射频发射机指标预算

2.4 本章小结

第3章 射频功率放大器设计基础

3.1 射频功率放大器概述

3.2 射频功率放大器指标

3.3 射频功率放大器结构

3.4 本章小结

第4章 CMOS射频功率放大器设计

4.1 CMOS射频功率放大器方案选择

4.2 CMOS射频功率放大电路设计

4.3 CMOS射频功放偏置电路设计

4.4 本章小结

第5章 CMOS射频功率放大器版图设计与后仿

5.1 CMOS集成电路版图设计

5.2 CMOS射频功率放大器版图设计

5.3 CMOS射频功率放大器后仿验证

5.4 本章小结

总结与展望

参考文献

攻读学位期间发表学术论文和申请专利

致谢

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摘要

随着无线通信技术的发展,对无线通信设备的性能提出了更高的要求,要在单片集成电路上实现接收、发射和基带信号处理功能,这能够很大程度上降低成本、功耗和体积。目前实现数字信号处理的集成电路绝大部分都是采用CMOS工艺制造的,而要实现射频模拟功能的集成电路大都是使用GeSi和GaAs工艺。GeSi和GaAs工艺虽然在高频和噪声方面的性能非常好,但是GeSi和GaAs工艺都面临着不能与数字CMOS工艺兼容,成本高,无法实现单片通信系统集成。CMOS集成技术具有高功能和高集成度,且CMOS射频工艺能够很好的和目前主流的数字工艺兼容,容易实现单片集成通信系统,大大降低成本。因此CMOS射频集成电路是目前研究最热门的方向之一。
  本文介绍了几种常用的射频接收机和发射机结构原理,并分析其优缺点,利用ADS的链路预算工具Budget分别对接收机和发射机的整体指标和模块指标进行预算仿真验证。本文主要研究射频功率放大器,详细阐述射频功率放大器功能、指标和结构类型,通过采用改变射频功率放大器晶体管尺寸方案实现功率增益可调,并根据射频功率放大器的理论详细阐明CMOS射频功率放大器设计方法和步骤以及其偏置电路设计。本文针对器件模型进行适当的修改,并把ADS仿真工具整合到Cadence中,同时利用ADS和Cadence设计工具完成仿真验证。最后介绍CMOS射频功率放大器版图设计中常用的技术和常见的问题,并完成版图布局和绘制工作。
  本文设计的915MHz CMOS射频功率放大器是在SMIC0.13μm RF CMOS工艺下实现,版图面积为:790.76×828.555(μm2),利用calibre进行寄生参数提取并在spetre中进行后仿验证,3.3V的电源供电电压,其功率附加效率(PAE)达到36.7%,1dB压缩输出功率和输入功率分别为11.52dBm和507.716mdBm,1dB压缩点附近基波分量和二次谐波分量功率之差为20.26dB,输出三阶交调为23.0108dB,功率增益从1.65dB到12.01dB之间实现8个档位可调。达到了设计要求。

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