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摘要
引言
第一章 半导体自旋注入和探测简介
1.1半导体自旋电子学简介
1.1.1自旋电子学的内容和发展
1.1.2半导体自旋电子学分类
1.2半导体中的自旋注入和探测
1.2.1磁性半导体中自旋的注入
1.2.2非磁性半导体中自旋的注入
1.2.3半导体中自旋的探测方法
第二章 半导体自旋流的相关理论和实验介绍
2.1自旋流相关理论预言
2.1.1半导体无耗散自旋流理论预言
2.1.2半导体二维体系本征自旋流的理论预言
2.1.3半导体二维体系中自旋波包劈裂的理论预言
2.1.4本征自旋流测量方案的理论预言
2.2自旋霍尔效应与逆自旋霍尔效应的相关探测
2.2.1 GaAs中的自旋霍尔效应
2.2.2自旋霍尔效应与自旋LED
2.2.3 HgTe中的量子自旋霍尔效应
2.2.4逆自旋霍尔效应
2.2.5时间分辨自旋霍尔效应的探测
2.3半导体二维体系光注入自旋及其扩散和分离的光学探测
2.3.1电、磁场控制自旋分离
2.3.2光注入探测自旋分离
2.4本章总结
第三章 AlGaAs/GaAs二维电子气中光注入电,磁场分布和光探测
3.2 AlGaAs二维电子气样品的光注入自旋
3.2.1不同偏振的泵浦激光在GaAs中产生自旋和电极化情况
3.2.2单束线偏振光在GaAs类半导体中注入自旋极化
3.2.3注入光偏振,样品晶格方向和自旋极化方向关系
3.3 AlGaAs二维电子气样品电场和磁场的二次谐波探测
3.3.1 GaAs中的二阶非线性光学发射
3.3.2探测光对于光注入自旋和电荷分布的二阶非线性极化
3.4单束线偏振光泵浦二次谐波探测光路
3.4.1注入和探测光路的设置
3.4.2光路和调节的计算
3.5探测结果和相关讨论
3.5.1 pump光导致二次谐波强度变化分布
3.5.2 pump光注入电场和磁场的空间分布探测和讨论
3.6 AlGaAs二维电子气样品中的自旋光栅探测
3.6.1自旋光栅的形成和探测机理
3.6.2自旋光栅探测光路
3.6.3实验结果和分析
第四章 ZnO纳米线阵列和微晶薄膜的二阶和三阶光学非线性增强
4.1 ZnO纳米线阵列的非线性光学特性
4.1.1引言
4.1.2 ZnO纳米线阵列的制备,结构和表征
4.1.3 ZnO纳米线阵列的透过率和反射率谱
4.1.4 ZnO纳米线阵列的二次谐波特性
4.1.5 ZnO纳米线阵列的三阶光学非线性特性
4.2 ZnO微晶薄膜的三阶非线性光学增强
4.2.1引言
4.2.2 ZnO微晶薄膜的制备过程
4.2.3利用XRD研究ZnO微晶薄膜的晶体结构
4.2.4 ZnO微晶薄膜的光学透过率谱和能带结构
4.2.5 ZnO微晶薄膜的三阶光学非线性吸收增强
4.3 ZnTiO复合薄膜的三阶光学非线性吸收特性
4.3.1引言
4.3.2 ZnTiO复合薄膜样品的制备
4.3.3 ZnTiO复合薄膜的结构和光吸收谱
4.3.4 ZnTiO复合薄膜的三阶光学非线性特性
4.4本章小结
参考文献
博士期间论文和奖励情况
致谢