声明
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 半导体材料的发展
1.3 场效应晶体管的基本类型及原理
1.4黑磷的能带调制方法
1.5 MOSFET的转移特性和输出特性
1.6 MOSFET的主要特征参数
1.7本论文研究的主要内容以及其意义
第二章 基于黑磷晶体管的high-k背栅器件的研制
2.1黑磷晶体管背栅器件的研究背景
2.2 High-k介质在场效应晶体管中的应用
2.4 High-k介质的工艺制备
2.4黑磷场效应晶体管的制备
2.5场效应晶体管的电学击穿分析
2.6 本章小结
第三章 基于黑磷场效应晶体管电学性能的研究
3.1 研究背景
3.2 场效应晶体管的结构
3.3 不同厚度黑磷场效应晶体管的电学性能
3.4 对黑磷器件Kink效应的数值模拟
3.5 本章小结
第四章 对不同情况黑磷器件Kink效应的研究
4.1不同沟道长度黑磷器件的扭结效应
4.2温度对Kink效应的影响
4.3 本章小结
第五章 抑制黑磷晶体管中的Kink效应
5.1模拟P型掺杂对黑磷器件的影响
5.2氮气等离子体处理黑磷器件
5.3 本章小结
第六章 结束语
参考文献
攻读硕士期间发表论文
致谢
