突触噪声作用下神经元细胞膜离子通道的温度效应

摘要

本文对突触噪声作用下神经元细胞膜离子通道的温度效应进行了研究。文章介绍了理论生物物理中神经生物学方面的进展；给出了描述神经元膜两边电压变化的离子学说及Hodgkin-Huxley模型和它对应的方程；研究了温度对神经元动作电位变化的影响。研究结果表明，温度升高会使得Hodgkin-Huxley神经元动作电位脉冲更为频繁，但如果温度太高，则会使得神经元动作电位消失；温度的升高会使得功率谱图变化，通过定义一个测量参数——相干因子β，在确定的噪声强度下，当温度在一定范围内升高时，系统从几乎没有相干状态变化到相干态，温度的升高会使得相干更强，但是在过高的温度条件下，会使得神经元动作电位消失，相干自然也不存在。

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第一章引言

1.1神经元系统中的噪声来源

1.2神经元细胞膜的温度效应，实验研究进展

1.3本论文的主要工作

第二章神经元的基本结构和活动过程

2.1神经元

2.1.1神经元的结构

2.1.2神经胶质细胞

2.1.3静息电位

2.1.4动作电位

2.2离子电导和Hodgkin Huxley模型

2.2.1离子电导

2.2.2 Hodgkin-Hueley方程

第三章神经元系统中的随机动力学和方法

3.1随机共振和相干共振

3.2基本模型

3.3有噪声但无周期性信号的情况

3.4有噪声和周期性信号的情况

第四章温度对神经系统动作电位的影响

4.1温度对神经元系统的影响

结论与展望

4.2展望

参考文献

致谢