磁性纳米颗粒膜的阻尼因子和微波磁谱微磁学计算

摘要

磁性纳米膜微波物性是薄膜磁学及其应用的研究热点之一。由于高密度磁记录工业和无线通讯系统等相关高科技领域的飞速发展，促使应用在GHz 频段下的磁性纳米薄膜材料备受关注。针对磁性薄膜高频电感和磁性微波吸收剂等不同的应用目标，必须研究不同性能要求的磁性薄膜材料。在薄膜高频电感应用中，为了提高高频电感性能，需要软磁薄膜材料具有高的自然共振频率，窄的铁磁共振线宽和高的低频磁导率实部。而在微波吸收剂中，则需要软磁薄膜材料具有较大的铁磁共振线宽，以提高电磁波吸收带宽。因而，系统地开展对磁性薄膜的阻尼因子和磁谱形状研究是高性能磁性薄膜应用中至关重要的问题。为此，本研究利用微磁学方法计算了偶极作用颗粒薄膜和交换作用磁性纳米颗粒膜的高频磁导率，并着重研究了纳米软磁薄膜中的随机各向异性、磁化色散和退磁场等非均匀性对薄膜阻尼因子的影响规律和作用机制，且建立了用于阐明相关实验现象的理论模型。为指导磁性薄膜的设计与制备工艺制定，进一步对薄膜生长进行了模拟。 用微磁学方法研究了孤立磁性纳米颗粒膜体系微波磁性能。结果表明，磁偶极作用对体系的静态磁结构影响显著，而交换相互作用影响不明显。进一步利用有效媒质理论的计算分析表明，纳米颗粒膜中磁性颗粒体积分数含量上升时，微波磁导率实部、虚部均增大，共振频率增高。而搭接磁性颗粒体系中，交换作用对体系磁结构影响显著，搭接颗粒的磁矩趋向一致排列。 利用微磁学方法计算了单相薄膜的静态磁结构，得到了典型的微磁ripple 结构，其磁色散角变化规律与线性ripple 理论分析基本符合。计算得到的微波磁导率能用单畴磁性颗粒的磁导率公式较好地描述。薄膜的等效阻尼因子随磁色散角的增大而线性增大，这与理论结果一致。对两相薄膜的研究发现，两相薄膜的交换耦合区具有独特的微细磁结构，这种微细磁结构增大了磁性薄膜的阻尼因子。 利用微磁学方法计算了具有表面各向异性的磁性颗粒的磁导率。研究表明，表面各向异性为Aharoni 表面各向异性时，磁性颗粒自旋结构为共线性单畴结构。为Néel表面各向异性时，颗粒自旋形成所谓“throttled”结构，自然共振频率与颗粒直径倒数1/ D 成正比。其次，以具有不同磁晶各向异性易轴的4个磁性纳米颗粒嵌入在磁性基体为模型，用蒙特卡洛方法模拟了磁性纳米薄膜的微磁结构。计算结果表明，不同强度的交换和表面作用时，体系存在3种典型的自旋结构：共线性磁结构；“zigzag”磁结构；“throttled”磁结构。 利用微磁学方法计算了单面粗糙薄膜的静态磁结构和磁谱。结果表明，粗糙表面导致了薄膜面内的微磁ripple 结构，从而增大了薄膜的阻尼因子。对特定均方根粗糙度，相关长度的薄膜，随着纵向外加磁场的增大，薄膜阻尼因子先减小后增大。在此基础上，还利用分析的手段得到了具有表面粗糙度的薄膜磁导率公式，进一步讨论了杂散场和面内退磁场对薄膜磁谱的影响。当薄膜面内退磁因子和磁色散角变化时，薄膜磁谱有可能表现为单峰或双峰结构，由此可用来解释实际薄膜测量呈现的多种多样的磁谱结构。 对Fe 多晶薄膜生长进行了模拟。在利用分子动力学，能量最小方法来计算吸附原子的表面激活能的基础上，应用动力学蒙特卡洛方法进行了一维单颗粒生长。由此，进一步应用FACET 程序进行多晶薄膜生长。由此，可以确定薄膜rms 粗糙度和颗粒尺寸随相关制备工艺参数的关系，如薄膜厚度，薄膜沉积温度，斜入射角度，初始成核态等，从而指导磁性薄膜的设计与制备工艺制定。