声明
1 绪论
1.1 热电效应与热电材料
1.2 电子能带工程
1.3 低维热电材料
1.4 热电材料与拓扑绝缘体
1.5 本文的工作
2 理论基础
2.1 密度泛函理论简介
2.2 玻尔兹曼输运理论
2.3 计算流程
3 能带工程优化PbTe基和ZrS2的热电性能研究
3.1 能带工程优化PbTe基热电性能的研究概述
3.2 能带简并优化PbTe基n型热电性能的研究
3.3 轨道简并优化层状化合物热电性能研究概述
3.4 轨道简并优化过渡金属硫化物ZrS2的热电性能研究
3.5 本章小结
4 单层过渡金属硫族化合物的热电性能研究
4.1 单层过渡金属硫族化合物热电性能的研究进展
4.2 单层过渡金属硫族化合物ZrSe2和HfSe2的热电性能研究
4.3 本章小结
5 MPtBi(M=Sc, Y, La)和TlBiSe2拓扑绝缘体的热电输运研究
5.1 热电材料与拓扑绝缘体研究概述
5.2 Half-Heusler拓扑绝缘体MPtBi(M=Sc, Y, La)的热电性质研究
5.3 拓扑绝缘体TlBiSe2的热电输运研究
5.4 本章小结
6 总结与展望
6.1全文工作总结
6.2下一步工作展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文
附录2 攻读博士学位期间所获奖励