声明
1 绪论
1.1 紫外LED概述
1.2 ZnO的物理性质与掺杂
1.3 AlGaN的物理性质与异质结
1.4 非极性面ZnO/AlGaN异质结LED的研究意义及进展
1.5 本论文主要研究内容
2 非极性面ZnO/AlGaN异质结紫外LED实验研究方法
2.1 AlGaN金属有机化学气相沉积技术
2.2 ZnO激光脉冲沉积技术
2.3 材料测试表征设备
2.4 本章小结
3 非极性a面异质结紫外LED模板材料的生长研究
3.1蓝宝石衬底氮化的成核机理研究
3.2非极性a面AlN的生长优化
3.3 非极性a面GaN模板的生长优化
3.4 本章小结
4 非极性a面p型AlGaN材料的生长研究
4.1 非极性a面i型AlGaN材料的生长优化
4.2 SiNx原位掩埋技术生长高质量非极性a面AlGaN
4.3 非极性a面AlGaN材料的p型掺杂
4.4 本章小结
5 非极性a面n型ZnO材料的生长研究
5.1 激光脉冲沉积的制备工艺
5.2 不同模板上非极性a面ZnO材料的PLD生长研究
5.3 非极性a面MgZnO薄膜的生长及光学性质研究
5.4 本章小结
6 非极性a面n-ZnO/i-ZnO/p-AlGaN异质结器件制备与性能研究
6.1 非极性a面ZnO基异质结LED的结构理论设计
6.2 非极性a面n-ZnO/i-ZnO/p-AlGaN异质结紫外LED的器件制备
6.3 非极性a面n-ZnO/i-ZnO/p-AlGaN异质结紫外LED的器件性能研究
6.4 本章小结
7 总结与展望
7.1 本论文工作总结
7.2 未来工作展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文
附录2 攻读博士学位期间申请的专利