声明
摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 碳基一维纳米导电材料
1.2.1 导电聚乙炔的研究现状
1.2.2 茂金属导电聚合物的研究现状
1.3 硅烷基一维导电高分子材料的研究现状
1.4 C/Si共聚导电高分子材料的研究现状
1.5 本文课题来源、研究内容及方法
1.5.1 课题来源
1.5.2 研究目的及意义
1.5.3 研究内容
2.1 概述
2.2 密度泛函理论
2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型
2.2.2 Hohenberg-Kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.3 能带理论
2.3.1 布洛赫定理
2.3.2 布里渊区和能带
2.4 非平衡格林函数理论
2.5 本章小结
第3章 计算方法与模型设计
3.1.1 计算方法
3.1.2 理论模型
3.2 [V(Cp)2(SiH2)n]∞体系的计算方法与模型
3.2.1 计算方法
3.2.2 计算模型
3.3 本章小结
第4章 [(SiH2)x(CH=CH)y]n的电子结构和输运性质
4.1 引言
4.2 体系的电子结构讨论
4.3 体系传输性质的结果与讨论
4.3.1 有机硅烷基片段长度的影响
4.3.2 乙烯基链长度的影响
4.3.3 整个分子链长度的影响
4.4 本章小结
第5章 [V(Cp)2(SiH2)n]m的电子结构和输运性质
5.1 引言
5.2 几何结构与电子结构
5.2.1 几何结构及稳定性
5.2.2 磁性
5.2.3 能带结构分析
5.3 双探针体系的输运性质
5.3.1 I-V曲线
5.3.2 D-[V(Cp)2(SiH2)1]m、D-[V(Cp)2(SiH2)2]m和D-[V(Cp)2(SiH2)3]m的ES、MPSH、TS、EP结果分析
5.3.3 与[(SiH2)x(CH=CH)y]n输运性质的比较
5.4 本章小结
结论
参考文献
攻读博士学位期间发表的学术论文
致谢