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异氰酸酯基聚酰亚胺薄膜制备及力学与电性能研究

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摘要

第1章绪论

1.1聚酰亚胺简介

1.1.1聚酰亚胺的结构与性质

1.1.2聚酰亚胺的合成方法

1.1.3聚酰亚胺的应用

1.2异氰酸酯基聚酰亚胺简介

1.2.1异氰酸酯基聚酰亚胺国内外研究现状

1.2.2异氰酸酯基聚酰亚胺发展趋势

1.3聚酰亚胺薄膜简介

1.3.1聚酰亚胺薄膜发展历程

1.3.2聚酰亚胺薄膜的应用

1.3.3聚酰亚胺薄膜的制备方法

1.4石墨烯简介

1.4.1石墨烯的发现及定义

1.4.2石墨烯的性能

1.4.3石墨烯的应用

1.5石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜材料简介

1.5.1石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜材料的研究现状

1.5.2石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法

1.6本论文的选题意义和研究内容

1.6.1选题意义

1.6.2研究内容

第2章实验材料及测试方法

2.1实验材料

2.2实验仪器及设备

2.3分析测试方法

2.3.1粘度的检测方法

2.3.2傅里叶变换红外光谱仪

2.3.3傅里叶变换全反射红外光谱仪

2.3.4热失重分析

2.3.5差示扫描量热分析

2.3.6力学性能测试

2.3.7扫描电子显微镜

2.3.8广角XRD测试

2.3.9介电常数和介电损耗测试

2.4本章小结

第3章异氰酸酯基聚酰亚胺及其薄膜制备工艺研究

3.1引言

3.2实验部分

3.2.1反应机理

3.2.2实验步骤及装置

3.3结果与分析

3.3.1反应温度对聚酰亚胺合成反应的影响

3.3.2单体浓度对聚酰亚胺合成反应的影响

3.3.3加料方式对聚酰亚胺合成反应的影响

3.3.4溶剂对聚酰亚胺合成及薄膜性能的影响

3.4本章小结

第4章石墨烯/异氰酸酯基聚酰亚胺薄膜材料的制备及性能研究

4.1引言

4.2实验部分

4.2.1石墨烯/异氰酸酯基PI溶液的制备

4.2.2石墨烯/异氰酸酯基PI薄膜的制备

4.3结构表征与性能分析

4.3.1傅里叶红外光谱分析

4.3.2力学性能分析

4.3.3电性能分析

4.3.4 SEM分析

4.3.5 XRD分析

4.4本章小结

第5章4,4’-ODA为“改性剂’’制备异氰酸酯基聚酰亚胺薄膜及性能表征

5.1引言

5.2实验部分

5.2.1 PAMPI前驱体树脂制备

5.2.2 PI薄膜制备

5.3分析与讨论

5.3.1傅里叶红外光谱分析

5.3.2电学性能分析

5.3.3热性能分析

5.3.4力学性能分析

5.3.5 SEM分析

5.3.6 XRD图谱分析

5.3.7溶解性分析

5.4本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果

致谢

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摘要

聚酰亚胺(PI)薄膜有着优异的力学性能、卓越的耐高低温性、良好的介电性能以及优良的耐化学腐蚀性而被广泛应用于航空航天、电子电工绝缘、微电子以及太阳能电池和锂电池等一些新兴领域。传统芳香聚酰亚胺产品不溶不熔,加工性能差,且价格昂贵。而采用芳香多元异氰酸酯为原料制备PI的“一步法”制备技术工艺简单、能耗低、原材料价格低廉,具有广阔的应用前景。目前,基于以异氰酸酯为原料制备PI薄膜的研究较少且得到的PI薄膜产品性能较差这一系列问题,本文就提高和改善异氰酸酯基PI薄膜力学和电性能入手,首先探索“一步法”异氰酸酯基PI制备的最佳工艺,然后通过掺杂力学性能和电性能优异的石墨烯(GE)填料,研究其对复合薄膜力学和电性能的影响。并进一步结合传统以芳香二胺和二酐为原料的制备技术,从提升纯PI薄膜自身的性能出发,得到高性能异氰酸酯基PI薄膜产品。本论文主要研究内容具体如下:
  1.以二苯甲烷二异氰酸酯(MDI-50,50-54%2,4'-MDI,46-50%4,4'-MDI)和4,4'-氧双邻苯二甲酸酐(ODPA)为主要聚合单体,采用“一步法”溶液共缩聚反应制备异氰酸酯基PI产品。通过傅里叶红外光谱监测聚合反应体系中单体含量的变化情况,进而监控反应进程以及聚合最终的耗时。通过树脂检测粘度计测试聚合液粘度的大小,进而对比分析聚合物分子量的高低。通过研究聚合温度、反应体系单体浓度、加料方式对聚合反应的影响,确定了最优的聚合温度为95℃、最优的单体浓度为30wt%、最佳的加料方式为分批加料,且MDI-50单体的滴加时长为3h为宜。此外,以NMP为溶剂体系制备得到的PI薄膜颜色呈典型的黄棕色,力学性能和结晶度都略高于以DMF和DMAc为溶剂体系的PI薄膜。
  2.研究了石墨烯(GE)对异氰酸酯基PI薄膜的抗静电性能和力学性能的提升效果,通过调控GE的添加量,制备得到一系列PI/GE复合薄膜。通过傅里叶红外光谱仪(FT-IR)分析发现GE的加入对PI分子结构无明显影响;体积表面电阻率测试结果显示随着GE添加量的增大,PI/GE复合薄膜的电阻率逐步降低。1wt%GE添加量的PI/GE复合薄膜的介电常数为:4.808,抗静电积聚性能得到明显的改善。0.7wt%GE添加量对复合薄膜力学性能提升最大,达到了103.12MPa,比未经GE改性的纯PI-neat薄膜样品拉伸强度提升了73.95%;XRD分析表明GE对PI复合薄膜的结晶度几乎无影响,复合薄膜为无定型态;SEM表明少量GE在PI基体中分散良好,复合薄膜力学性能得到提升。
  3.采用MDI-50和ODPA制备得到酸酐封端的PI低聚物,然后采用4,4'-二氨基二苯醚(ODA)作为“改性剂”,将酸酐封端的PI低聚物连接起来,并通过进一步的酰亚胺化得到大分子链的异氰酸酯基PI产品,并流延成膜。结果表明:少量ODA即可明显增强PI薄膜产品的各项性能,PI薄膜的力学性能、介电性能、耐热性等相比于未经ODA改性的异氰酸酯基PI明显提高,拉伸强度最大可达108.87MPa,5%时的失重温度可达524℃。

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