声明
摘要
1 绪论
1.1 半导体光电材料
1.2 GaN的基本性质
1.3 GaN纳米材料的研究进展
1.4 GaN纳米材料的应用
1.5. Si基GaN光电子器件的研究进展及其面临的问题
1.5.1 Si基GaN LED的研究进展
1.5.2 Si基GaN场效应管的研究进展
1.5.3 Si基GaN器件所面临的问题
1.6 纳米技术对Si基GaN器件的影响
1.7 基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的复合体系
1.7.1 Si-NPA的结构和性能
1.7.2 基于Si-NPA的纳米复合体系的研究
1.8 本课题的研究思路和内容
参考文献
2 GaN/Si-NPA的制备与表征
2.1 引言
2.2 GVD法生长GaN纳米结构的机理
2.3 催化剂的选择
2.3.1 催化剂的制备方法
2.3.2 催化剂的形貌和结构
2.3.3 催化剂Pt的选择
2.4 GaN/Si-NPA的制备及其结构表征
2.4.1 制备方法与流程
2.4.2 生长时间对GaN纳米结构的影响
2.4.3 退火对GaN纳米结构的影响
2.4.4 生长温度对GaN纳米结构的影响
2.5 本章小结
参考文献
3 GaN/Si-NPA的电学特性
3.1 引言
3.2 理想异质结构的电学特性
3.3 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列的电学特性
3.3.1 电极材料的选择
3.3.2 器件的制备
3.3.3 金属/半导体和Si-NPA/Si的电流-电压关系
3.3.4 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列的电学特性
3.4 本章小结
参考文献
4. GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列发光二极管(LED)
4.1 引言
4.2 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列黄光LED的制备及其性能研究
4.2.1 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列黄光LED的制备
4.2.2 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列黄光LED光电性能
4.2.3 黄光发光机理研究
4.2.4 高单色型GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列黄光LED
4.3 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列近红外(NIR)LED
4.3.1 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列NIR LED的制备及结构表征
4.3.2 电学性能分析
4.3.3 电致发光性能研究
4.3.4 器件的输出功率估算
4.3.5 器件的稳定性研究
4.3.6 高单色性NIR LED的制备
4.3.7 NIR发光机理研究
4.4 本章小结
参考文献
5 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列太阳能电池
5.1 引言
5.1.1 传统太阳能电池
5.1.2 新概念太阳能电池
5.1.3 GaN用于太阳能电池的研究进展
5.2 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列新概念太阳能电池
5.2.1 GaN/Si-NPA的结构和光学吸收性能
5.2.2 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列太阳能电池制备及其光伏性能
5.3 高效率GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列太阳能电池
5.3.1 GaN纳米柱状晶/Si-NPA纳米异质结构阵列的制备及表征
5.3.2 GaN纳米柱状晶/Si-NPA的光学特性
5.3.3 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列太阳能电池
5.3.4 GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列太阳能电池的光-电转化机理
5.4 本章小结
参考文献
6 结论与展望
博士期间完成的论文及获奖情况
致谢