声明
摘要
图和附表清单
第1章 引言
1.1 低维材料系统和尺寸效应
1.1.1 低维系统的概念
1.1.2 薄膜的量子尺寸效应
1.2 薄膜的生长与生长模式
1.2.1 薄膜生长模式的经典理论
1.2.2 超薄薄膜生长模式的量子理论—电子生长概念
1.3 薄膜电子生长理论—薄膜稳定性与能量判据
1.3.1 薄膜厚度与能量的关系
1.3.2 薄膜稳定性的判据
1.3.3 表面能的计算
1.3.4 自由电子金属薄膜情况
1.4 金属Pb薄膜的电子生长研究进展
1.4.1 Pb超薄薄膜的实验研究进展
1.4.2 Pb超薄薄膜的理论研究进展
1.4.3 Pb超薄薄膜的生长机制—自由电子模型
1.4.4 相位累加模型和“拍频效应”
1.5 薄膜生长模式调制的可能性
1.5.1 研究思路—通过掺杂改变薄膜生长模式调制
1.5.2 研究内容
第2章 第一性原理计算方法
2.1 多电子体系问题
2.1.1 Born-Oppenheimer近似
2.1.2 Hartree-Fock(HF)近似
2.2 密度泛函理论
2.2.1 Hohenberg-Kohn定律
2.2.2 Kohn-Sham方程
2.2.3 交换-关联泛函
2.3 赝势方法
2.3.1 Ultrasoft(US)赝势
2.3.2 PAW赝势
2.4 具体数值计算应用
2.4.1 自洽运算
2.4.2 基函数-平面波方法
2.4.3 常用计算软件
第3章 “类n型”掺杂对Pb合金薄膜的生长模式的调制
3.1 研究动机和研究背景
3.1.1 研究动机
3.1.2 实验结果
3.2 计算方法和合金薄膜第一性原理描述
3.2.1 计算方法概述
3.2.2 对不同掺杂浓度合金薄膜的描述
3.2.3 “晶格旋转匹配方法”
3.2.4 合金薄膜的晶格常数的确定
3.3 Bi对Pb薄膜的生长模式的调制作用及其对薄膜特性的调制
3.3.1 自由PbBi合金薄膜的量子尺寸效应
3.3.2 PbBi合金薄膜的量子尺寸效应对合金薄膜性能的调制作用
3.3.3 合金杂质组分对合金薄膜的生长模式的调制和影响
3.3.4 Si(111)衬底对PbBi合金薄膜生长模式的调制与影响
3.4 研究结论与下一步工作展望
第4章 “类p型”掺杂对Pb合金薄膜的生长模式的调制
4.1 问题的提出与研究背景
4.1.1 研究动机
4.1.2 Ga元素掺杂的PbGa合金薄膜的实验结果
4.1.3 计算细节说明
4.2 “类p型”掺杂对Pb薄膜生长模式的调制作用和影响
4.2.1 TI、Ga元素掺杂情况
4.2.2 其他杂质情况
4.3 “自由电子模型”解释以及超出自由电子模型的情况
4.3.1 自由电子模型对拍频效应形成的解释
4.3.2 自由电子模型对合金薄膜拍频周期改变的解释
4.3.3 合金薄膜奇偶转变点相移的解释
4.4 研究结论与“量子合金”设计展望
第5章 表面弗里德尔振荡对合金表面偏析的调制
5.1 研究背景与研究动机
5.1.1 台金偏析的概念
5.1.2 几个典型的例子
5.1.3 合金表面偏析理论及其研究进展
5.1.4 研究动机和研究内容
5.2 计算模型
5.3 Mo、Rh基合金表面偏析特性的研究及其偏析机制
5.3.1 MoxM1-x(100)合金体系的偏析规律
5.3.2 MoxM1-x(100)表面Fredel振荡对合金偏析的影响规律和调制
5.3.3 RhxM1-x(111)合金体系
5.4 本章结论与展望
附录A C60分子在金刚石(100)-2x1表面的吸附研究
A.1 背景介绍
A.2 研究方法
A.3 计算结果
A.3.1 几何结构
A.3.2 电子结构
A.4 结论与展望
第6章 总结及展望
参考文献
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果
致谢