甲酸根离子掺杂的卤化银中光电子特性研究

摘要

本文采用微波吸收介电谱检测技术，系统检测了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子的衰减行为，获得了不同掺杂条件下的卤化银乳剂中光电子衰减时间分辨谱，分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应以及光电子衰减特性与掺杂条件的关系，并对部分化学增感和光谱增感的掺杂乳剂进行了初步研究。
　　根据检测甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂中光电子衰减时间分辨谱，研究了掺杂条件的变化对光电子衰减过程的影响。通过分析均匀掺杂的立方体AgCl乳剂中自由光电子和浅束缚光电子衰减特性随掺杂浓度的变化发现，采用均匀掺杂的方式，在适当的浓度下，甲酸根离子能有效地起到空穴陷阱的作用，但掺杂效果并不太明显。根据不同掺杂位置和浓度的立方体AgCl乳剂中光电子衰减特性，得到了甲酸根离子的最佳掺杂浓度和位置，结果发现，甲酸根离子掺杂在接近颗粒表面的位置能比较好的发挥空穴陷阱的作用。这是由于卤化银晶体表面的填隙银离子浓度比体相浓度高，掺杂接近表面层时，空穴陷阱俘获曝光产生的光空穴后，从复合中逃逸的光电子以及甲酸根离子俘获空穴后所释放的光电子可以与更多的填隙银离子结合成银原子，说明了在接近微晶表面掺杂适当浓度的甲酸根离子对提高乳剂的潜影形成效率起到了较好的作用。另外，通过对化学增感和光谱增感的立方体AgCl掺杂乳剂的检测，发现甲酸根离子在乳剂增感后仍可以发挥其空穴陷阱效应。
　　根据检测均匀掺杂以及不同位置和浓度的甲酸根离子掺杂的立方体AgBr乳剂中光电子衰减时间分辨谱，分析了AgBr乳剂中甲酸根离子掺杂条件的变化对光电子衰减过程的影响，并得到最佳掺杂浓度和位置。

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第1章 绪论

第2章 潜影形成机理及空穴陷阱掺杂剂

2.1 潜影形成机理

2.2 提高潜影形成效率的方法

2.3 空穴陷阱掺杂剂

第3章 光电子时间分辨谱的测量

3.1 乳剂制备

3.2 卤化银中光电子瞬态行为的测量方法

3.3 微波吸收介电谱检测技术

3.4 典型的立方体AgCl 乳剂中光电子时间分辨谱

第4章甲酸根离子掺杂的立方体AgCl 乳剂中光电子衰减特性

4.1 不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的AgCl 乳剂中光电子衰减特性

4.2 同一浓度甲酸根离子在不同位置掺杂的AgCl 乳剂中光电子衰减特性

4.3 不同浓度甲酸根离子在同一位置掺杂的AgCl 乳剂中光电子衰减特性

4.4 掺杂乳剂经其他方法增感后的光电子衰减特性

4.4.1 掺杂乳剂经硫加金增感后的光电子衰减特性

4.4.2 掺杂乳剂经染料增感后的光电子衰减特性

4.5 小结

第5章 甲酸根离子掺杂的立方体AgBr 乳剂中光电子衰减特性

5.1 不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的AgBr 乳剂中光电子衰减特性

5.2 不同浓度甲酸根离子在同一位置掺杂的AgBr 乳剂中光电子衰减特性

5.3 同一浓度甲酸根离子在不同位置掺杂的AgBr 乳剂中光电子衰减特性

5.4 小结

结束语

参考文献

致谢