用正电子湮没技术研究TiAl合金中3p-3d电子的相互作用

摘要

本文利用了正电子湮没技术对TiAl合金进行了系统的研究.多普勒展宽谱测量用双探头符合技术正电子湮没辐射装置，可大幅度地降低谱线的本底，获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献.利用符合多普勒展宽谱(CDB)研究了TiAl合金中3d电子行为；利用正电子寿命谱研究了TiAl合金的微观缺陷和自由电子密度；研究合金元素影响TiAl合金中的微观缺陷和3d电子的规律性；探讨合金微结构对材料性能的影响. 双探头符合多普勒展宽系统测量不同化学成分TiAl合金的多普勒展宽谱 分别测量了合金Ti50 Al50，Ti50Al48V2，Ti50Al48Ag2和Ti，Al，Ag，V等金属的正电子寿命，并且利用正电子寿命计算出了合金和金属中的基体和缺陷处的电子密度，研究了V，Ag等金属对合金缺陷和电子密度的影响.

目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

1.1概述

1.1.1 γ-TiAl的基本特性

1.1.2变形机理

1.1.3微结构成形

1.1.4微观结构的类型

1.1.5微观结构与性能之间的关系

1.1.6合金元素对钛铝合金性能的影响

1.2 TiAl合金的研究现状

1.3本研究的目的和意义

第二章正电子湮没理论

2.1概述

2.2空位型缺陷对正电子的捕获

2.3正电子寿命谱仪

2.4正电子两态捕获模型

2.5正电子寿命谱分析

2.6正电子湮没率与电子密度

2.6.1均匀电子气系统中的正电子湮没率

2.6.2非均匀电子系统中的正电子湮没率

2.7正电子湮没辐射Doppler展宽

第三章在TiAl合金中添加第四周期元素

3.1引言

3.2实验方法

3.3实验结果与讨论

3.3.1二元TiAl合金

3.3.2第四周期纯金属元素的商谱

3.3.3在TiAl合金中添加V，Cr，Mn，Cu

第四章在TiAl合金中添加第五周期元素

4.1引言

4.2实验方法

4.3实验结果和讨论

4.3小结

第五章用正电子湮没寿命谱研究掺V和Ag的TiAl合金中的缺陷和电子密度

5.1引言

5.2实验方法

5.3结果和讨论

5.4结论

第六章总结

参考文献

致谢

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