Gd-Sn-Te体系稀磁半导体材料的合成、相关系与Gd-Ti-Fe体系相关系研究

摘要

相图是材料科学研究的基础，广泛用于冶金、陶瓷、矿物、化工、晶体生长的等领域，在材料制备、热处理工艺、新材料的开发等方面，相图都起到很重要的作用。本文探索研究了Gd-Sn-Te体系稀磁半导体材料的合成工艺，以及其相结构关系；另外还研究了Gd-Ti-Fe体系在500℃截面的相平衡关系。
　　 1．综合利用高频炉熔化和粉末冶金的方法成功制备了适合于相结构研究的Gd-Sn-Te体系合金。利用X射线衍射分析分析了其相结构，并研究了室温情况下富Te端（Te≥50at．％）的相结构关系。在该区域有4个三相区（Te+SnTe+GdTe3， GdTe3+SnTe+GdTe2， Gd2T3+SnTe+GdTe2和Gd2Te3+SnTe+GdTe），9个两相区，6个单相区，测定了Gd在SnTe化合物中的固溶度达到11％。并且Sn1-xGdxTe（x=0-0.10）的晶格参数随Gd的参入量增大而减小。
　　 2．综合利用X射线衍射分析、差热分析等方法测定了Gd-Ti-Fe体系在500℃的相结构关系。该体系中的6个二元化合物（GdFe2，GdFe3，Ge6Fe23，Gd2Fe17，TiFe和TiFe2）和3个三元化合物（GdFeqTi12，GdFe11Ti和Gd（Fe1-xTix）9）被证实存在，具有CaCu5型结构P21/c空间群的高温相Gd3（Fex-xTix）29在该温度下不存在。该等温截面由12个单相区、24个两相区、13个三相区组成。实验中发现Ti在化合物GdFe11Ti和Gd2Fe17中都存在一定程度的固溶，其值分别为2％和2.3％。三元化合物Gd（Fe1-xTix）9中x的变化范围为0.0256到0.0444。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章 合金相图及其测定技术概述

1.1相图和相图应用

1.2相图的测定

1.3合金试样的制备

1.3.1配料和熔制

1.3.2均匀化处理

1.3.3淬冷技术

1.4物相分析技术

1.4.1X射线衍射法

1.4.2差热分析法(DTA)

1.4.3金相分析法

1.4.4电子显微分析

1.5相界的测定

1.5.1相消失法

1.5.2点阵常数法

1.6粉末衍射图谱的指标化

1.6.1 比值法

1.6.2分析法

1.6.3图解法

1.6.4计算机尝试法

1.6.5指标化结果正确性的判据

1.7晶体点阵常数的精确测量

1.7.1内标法

1.7.2图形外推法

1.8关于PDF卡片

参考文献：

第二章 Gd-Sn-Te体系稀磁半导体材料的合成及相结构研究

2.1引言

2.2稀磁半导体简介

2.3主要历史资料

2.3.1Gd-Te二元系

2.3.2 Sn-Te二元系

2.3.3 Gd-Sn二元系

2.4 Gd-Sn-Te体系稀磁半导体材料的合成工艺及样品测试

2.4.1样品制备

2.4.2 相结构分析

2.5实验结果与讨论

2.5.1样品的形貌与XRD分析

2.5.2富Te角的相关系研究

2.6小结

参考文献：

第三章 Gd-Ti-Fe体系500℃等温截面相结构研究

3.1引言

3.2历史资料

3.2.1Ti-Fe二元系

3.2.2 Gd-Ti二元系

3.2.3 Gd-Fe二元系

3.2.4Gd-Ti-Fe三元系

3.3实验方法

3.3.1配料以及所用设备

3.3.2实验流程

3.4实验结果与讨论

3.4.1相分析

3.4.2 Gd-Ti-Fe三元系500℃等截面

3.5小结

参考文献：

附录Gd-Ti-Fe体系部分三相区的XRD图谱

致谢

攻读硕士期间发表论文情况