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摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体发光二极管的发展现状
1.3 氮化物半导体材料及其发光二极管的发展现状
1.3.1 Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的基本特性
1.3.2 氮化物材料的生长
1.3.3 氮化物发光二极管的发展现状
1.4 GaN基垂直结构发光二极管
1.4.1 GaN基VLED的特性和应用前景
1.4.2 GaN基VLED的研究进展
1.5 GaN基垂直结构发光二极管的技术难点
1.5.1 金属共晶键合
1.5.2 激光剥离
1.5.3 氮面n-GaN电极
1.6 本论文的主要工作及组织结构
参考文献
第二章 GaN基垂直结构LED的理论分析
2.1 引言
2.2 GaN基DBR的构造与分析方法
2.2.1 分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理
2.2.2 传输矩阵法(TMM)
2.3 GaN基VLED的DBR分析
2.3.1 氮化物D除中各介质层的折射率
2.3.2 模拟结果与分析
2.3.3 提高大角度反射率的设计方案
2.4 小结
参考文献
第三章 GaN基材料生长和特性表征方法
3.1 引言
3.2 MCVvD生长技术
3.2.1 MOCVD技术原理
3.2.2 MOCVD系统简介
3.3 材料形貌、结构及光学特性表征方法
3.3.1 形貌表征—原子力显微镜和扫描电子显微镜
3.3.2 结构和组分表征—X射线衍射和拉曼散射
3.3.3 光学特性表征—光致发光谱和分光光度计
3.5 小结
参考文献
第四章 In组分调制量子阱结构对极化场的调控
4.1 引言
4.2 极化场对发光二极管内量子效率的影响
4.3 In组分调制量子阱结构对极化场的调控
4.3.1 In组分调制I nGaN/GaN多量子阱的外延生长
4.3.2 n组分调制I nGaN/GaN多量子阱的特性分析
4.4 小结
参考文献
第五章 GaN基薄膜转移技术的研究
5.1 引言
5.2 金属键合技术
5.2.1 键合原理及设备简介
5.2.2 硅-硅共晶键合
5.2.3 氮化镓-硅共晶键合
5.3 激光剥离技术
5.3.1 激光剥离原理及系统简介
5.3.2 整面剥离
5.4 小结
参考文献
第六章 GaN基垂直结构LED的研究
6.1 引言
6.2 VLED的制备
6.2.1 VLED器件结构
6.2.2 VLED关键工艺
6.3 VLED的特性分析
6.3.1 小功率VLED工作特性
6.3.2 大功率VLED工作特性
6.4 小结
参考文献
第七章 总结与展望
7.1 工作总结
7.2 不足和展望
在学期间发表论文及申请专利
致谢