GE Corporate Research and Development, Niskayuna, NY 12309;
机译:活性熔体渗入法制备碳材料SiC和SiC-SiC_(nano)单层氧化防护涂层的机理及超声腐蚀行为
机译:活性熔体渗入法制备碳材料SiC和SiC-SiC_(nano)单层氧化防护涂层的机理和超声腐蚀行为
机译:超声波火焰下SiC Nanowhisher Collent-SiC / ZrB2-SiC超高温多层涂层的高温消融氧化性能
机译:SiC火焰传感器的商业化
机译:温度传感器的β和SiC的电导率和迁移率与温度的关系
机译:全SIC压阻压力传感器SiC腔结构的密闭性分析
机译:用于全SiC压阻式压力传感器应用的SiC密封腔结构的制造