Research and Development Division, Hynix Semiconductor Inc., Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701 (South Korea);
机译:具有周围浮栅(DC-SF)NAND闪存单元的新型三维双重控制栅
机译:异常的单元间干扰对p型浮栅和控制栅NAND闪存的影响
机译:控制栅和浮栅设计对分贝和闪速存储器的电子注入扩散的影响
机译:用于高性能DC-SF的新型金属控制栅极(MCGL工艺)(带周围浮置的双控制门)3D NAND闪存
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:经过溶液处理的分子浮栅用于柔性闪存
机译:利用水处理聚合物圆点的混合浮廊实现具有多级存储行为的非挥发性光学仪