Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zurich, Wolfgang-Pauli-Str. 16,8093 Zurich, Switzerland;
Mode-locked lasers; Semiconductor lasers; Ultrafast lasers; Vertical emitting lasers;
机译:使用皮秒激光脉冲以平均功率高达420?W的规模扩展激光构造过程的生产率,从而在AISI 316L不锈钢上产生超疏水表面
机译:具有外部单模光纤腔的主动锁模半导体激光器产生的低功率皮秒光脉冲中固有的列平均时频参数的特性
机译:量子放大器模型,用于预测皮秒级时半导体激光器输出功率的时间变化
机译:MIXSEL的电源缩放:具有> 6 W平均功率的集成PICOSECOND半导体激光器
机译:Q开关二极管激光器产生的高功率皮秒脉冲。
机译:使用皮秒激光脉冲以高达420 ofW的平均功率扩展激光构造过程的生产率从而在AISI 316L不锈钢上产生超疏水表面
机译:使用PICOSECOND激光脉冲在高达420W的平均功率下进行激光结构化工艺的生产率,以在不锈钢AISI 316L上生产超疏水表面