首页> 外文会议>The Twelfth International Conference on Ultrafast Phenomena, Jul 9-13, 2000, Charleston, South Carolina >Generation of coherent LO phonons by allowed and forbidden impulsive Raman scatterings in GaAs/AlGaAs MQW's
【24h】

Generation of coherent LO phonons by allowed and forbidden impulsive Raman scatterings in GaAs/AlGaAs MQW's

机译:GaAs / AlGaAs MQW中允许和禁止的脉冲拉曼散射产生相干LO声子

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We show that unlike in bulk GaAs coherent LO phonons in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells are generated by both the forbidden and the allowed impulsive Raman scatterings.
机译:我们表明,与GaAs / AlGaAs中的GaAs体相干LO声子不同,多量子阱是由禁止和允许的脉冲拉曼散射产生的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号