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【24h】

Irradiation à 77 K de diodes de puissance pour LHC dans le champ d'un accélérateur à haute énergie

机译:高能加速器领域中LHC用功率二极管的77 K辐射

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摘要

En vue du projet LHC, les diodes de puissance au silicium destinées à la protection des aimants en cas de transition résistive doivent être testées quant à leur résistance au rayonnement. Des prototypes de ces diodes ont été irradiés, dans un cryostat à 77 K, auprès d'une cible de conversion de particules de la zone TCC2 du SPS au CERN.rnLe champ de radiation comprend des particules de haute énergie, des gammas et des neutrons lents. La dosimétrie a été effectuée au moyen de dosimètres PAD et RPL et de détecteurs par activatkra. En six mois, la dose totale a été de 50 kGy et la fluence totale de 5.6E14 n.cm~(-2). La mesure des caractéristiques directes des diodes montre que la résistivhé a été multipliée par un facteur 2 à 5 dépendant du type de diode. Un recuit à la température ambiante ou par chauffage résistif peut ramener (à 10% près) les caractéristiques initiales.
机译:鉴于大型强子对撞机项目,必须测试旨在在发生电阻性跃迁时保护磁体的硅功率二极管的抗辐射能力。这些二极管的原型已在CERN SPS的TCC2区的粒子转换目标上的77 K低温恒温器中进行了辐照。辐射场包括高能粒子,γ和中子慢。使用PAD和RPL剂量计和activatkra检测器进行剂量测定。在六个月内,总剂量为50 kGy,总通量为5.6E14 n.cm〜(-2)。测量二极管的直接特性表明,电阻率已根据二极管的类型乘以2到5倍。在室温或通过电阻加热进行退火会降低初始特性(至10%以内)。

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